안녕하세요 RPS 식각장비을 사용하는 중 문제가 발생하여 문의드립니다.

 

현재 RPS 장비를 이용한 폴리머 (SU-8, epoxy계열)의 식각 공정을 하는데, 주로 골드가 증착된 웨이퍼 위에 코팅한 폴리머를 지우는 용도로 쓰고있습니다.

 

사용하는 가스는 N2, O2, CF4 가스를 사용하고 있으며, 공정 조건은 0.45Torr 압력의 40도 공정조건을 사용하고 있습니다.

 

헌데 얼마전부터 에칭과정에서 골드기판이 손상되는 현상이 발생하였는데, 아직 그 원인을 찾지 못하고 있습니다. 이론적으로는 메탈이 손상될 일이 없어야하는걸로 알고 있습니다. 잠정적으로는. 폴리머 애칭시 생성되는 byproduct (HF) 에 의한 손상이라 생각되는데, HF의 높은 증기압을 생각하면 꼭 그렇지도 않은것 같고, 챔버의 벤팅문제라 생각되어 펌프를 정비받았으나, 이 또한 문제가 없다고 합니다. 

 

골드기판이 손상되는 경우에는 보통 풀라즈마 밝기가 평소보다 약하게 발생하는 특징이 있습니다. 이제는 플라즈마 정비 내부에 문제가 있다 생각이 되는데 교수님 의견을 듣고 싶습니다. 감사합니다

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [330] 102103
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24548
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61199
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73272
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105485
592 low pressure영역에서 아킹이 더 쉽게 발생하는 이유에 관해 문의드립니다. [파센 커브와 글로우 방전] [1] 1722
591 안녕하세요? 임피던스 매칭관련 질문드립니다. [회로인자 및 구동기구, 플라즈마 특성] [1] 6493
590 electron energy distribution에 대해서 질문드립니다. [Maxwallian EEDF] [2] 3724
589 안녕하세요 플라즈마의 원초적인 개념에서 궁금한 점이 생겨서 질문드립니다. [DC glow discharge] [1] 1166
588 플라즈마 에칭과 표면처리의 차이점 질문드립니다. [Cleaning, sputter etching, RIE] [1] 2390
587 RIE에서 O2역할이 궁금합니다 [충돌 반응 rate constant] [4] 5213
586 플라즈마 챔버 [화학반응 및 내열조건] [2] 1666
585 Decoupled Plasma 관련 질문입니다.[플라즈마 내 입자의 거동] [1] 1400
584 플라즈마 임피던스와 Vpp가 관련이 있나요? [플라즈마 주파수와 Vpp, sheath] [1] 4348
583 플라즈마 용어 질문드립니다. [Self bias] [1] 1072
582 안녕하세요 교수님. ICP관련하여 문의드립니다. [Faraday shield] [1] 1976
581 ICP-RIE etch에 관해서 여쭤볼것이 있습니다. [He 혼합비와 플라즈마 밀도] [1] 1879
580 플라즈마 이용 metal residue 제거방법 문의드립니다. [세정 공정 개발] [1] 1241
579 RF 반사파와 이물과의 관계 [Physical/chemical cleaning] [1] 1442
578 타겟 임피던스 값과 균일도 문제 [플라즈마 확산] [1] 583
577 압력과 플라즈마 크기의 관계가 궁금합니다. [Mean free path] [1] 29504
576 Plasma arcing 관련하여 문의드립니다. [플라즈마 내 전자 축적] [1] 1863
575 Load position관련 질문 드립니다. [Impedance matching] [1] 2890
574 Floride 스퍼터링 시 안전과 관련되어 질문 [Sputter setup 및 구동 원리] [1] 734

Boards


XE Login