Plasma in general plasma etching을 관련 문의드립니다.

2019.03.26 14:10

정제준 조회 수:2448


안녕하세요. 서울대학교 재료공학부 오규환 교수님 연구실 박사과정 정제준입니다.

SiC 샘플에 plasma etching을 하려고 하는데 CF4 or O2 플라즈마를 이용해서 실험을 해보려고 합니다.

1. 플라즈마 응용연구실에서 장비가 있다면 사용이 가능한지요?

2. SiC etching에 다른 플라즈마 소스를 추천해주신다면 어떤게 있을까요?

3. 장비가 없으시면 다른곳을 추천해주시면 감사하겠습니다.


감사합니다.

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [286] 77303
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20501
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57414
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68950
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92988
470 RF chamber에서.. particle(부유물) 와 RF reflect power연관성 [1] 4283
469 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 4185
468 RPSC 관련 질문입니다. [2] 4100
467 ICP plasma에서 RF bias에 대한 문의가 있습니다 [2] 4066
466 Deposition 진행 중 matcher(shunt,series) 관계 질문 [3] 4053
465 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [1] 4045
464 RIE에서 O2역할이 궁금합니다 [4] 4038
463 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3994
462 the lines of magnetic  induction are frozen into the perfectly conducting material에 대한 질문 [1] file 3979
461 진공장치 챔버내 산소 또는 수분 제거 방법에 대해 [1] 3899
460 CCP/ICP 의 플라즈마 밀도/균일도 에 대해서 질문이 있습니다. [3] 3891
459 DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [2] 3873
458 Descum 관련 문의 사항. [1] 3805
457 Vpp, Vdc 측정관련 문의 [1] 3763
456 플라즈마 임피던스와 Vpp가 관련이 있나요? [1] 3721
455 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] 3715
454 dry etching중 온도, 진공도, glass상태에 따라 chucking force가 변화하는지요? [1] 3649
453 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 3627
452 CCP 구조가 ICP 구조보다 Arcing 발생에 더 취약한가요? [3] 3621
451 ESC Cooling gas 관련 [1] 3597
쓰기
태그

Boards

XE Login