안녕하세요,

반도체 업체에서 PVD, Descum을 담당하고 있는 엔지니어 입니다.

원래 담당이 Plasma 계열이 아니라 많은 것들이 부족하여 찾아찾아 이곳까지 발을 들이게 되었습니다. 궁금한 사항은 하기와 같습니다.

-. 현재 ICP type plasma 장비를 사용하고 있습니다.

-. ICP 설비 사용함에 있어 RF를 사용하여 coil에 bias를 인가함으로  plasma를 발생시키는 것과, platen(chuck)에 bias를 인가 하여 (-)극으로 만드는 것까지는 이해하고 있습니다.


==>  여기서, RF bias인가를 통해 platen이 (-)극으로 변경되었을 때, DC bias라는 명칭이 사용되는데(장비상 display, Vdc 또는 DC bias), 이 부분이 self bias를 통해 생성되는 bias라고 생각하면 되는 것인가요?

==> 그리고 Vdc 또는 DC bias로 display되는 전압이 혹시 DC 전원을 사용한 plasma와 동일한 영향력을 가지고 있는지 궁금합니다.

==> 영향력이 의미하는 부분은 DC 전원 사용하여 만든 음극은 electrode에 민감한 MEMS 자재를 작업하기엔 어렵기 때문에, 혹시 RF bias로 만든 DC bias가 DC전원을 사용했을 때와 동일한 effect를 가지는지가 궁금합니다.


답변주시면 감사드리겠습니다.

번호 제목 조회 수
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 217
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 48919
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 56111
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [1] 63532
475 안녕하세요 ICP dry etching 관련 질문사항드립니다! [1] 692
474 PEALD관련 질문 [1] 2017
473 N2 Plasma 상태에 대해서 질문 드립니다. [1] 697
472 dry etching중 온도, 진공도, glass상태에 따라 chucking force가 변화하는지요? [1] 1108
471 Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다.. [3] 601
470 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] 320
» ICP plasma에서 RF bias에 대한 문의가 있습니다 [2] 984
468 VPS 공정에서 압력변수관련 질문입니다. [1] 191
467 임피던스 실수부에 대해 궁금한 점이 있습니다. [4] 887
466 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] 712
465 Langmuir probe의 위치에 관한 질문입니다. [3] 543
464 상압플라즈마 제품 원리 질문드립니다 [2] 565
463 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] 1074
462 plasma etching을 관련 문의드립니다. [1] 1660
461 Wafer particle 성분 분석 [1] 1403
460 고온의 플라즈마와 저온의 플라즈마의 차이 [1] 941
459 charge effect에 대해 [2] 957
458 PECVD 증착에서 etching 관계 [1] 653
457 터보펌프 에러관련 [1] 1224
456 프리쉬스에 관한 질문입니다. [1] 309

Boards


XE Login