안녕하세요. 반도체 회사에 근무중인 회사원 입니다.


다름이 아니고 PECVD로 박막 증착 시 Radical들의 움직임에 관해 궁금한 점이 있어서 글을 올립니다.


Radical이 Wafer위에서 migration후 반응하여 island를 만들고 그 섬들이 성장하여 박막을 형성하는 것으로 알고 있는데


Radical이 가지는 에너지, 기판의 온도, 기판을 이루는 물질과의 결합에너지 등을 통해 Radical이 기판위에서


평균적으로 얼마나 움직이는지, 어느 위치를 안정적인 site로 인식하고 반응하는지 등을 알 수 있을까요?

번호 제목 조회 수
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 217
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 48919
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 56111
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [1] 63532
475 안녕하세요 ICP dry etching 관련 질문사항드립니다! [1] 692
474 PEALD관련 질문 [1] 2018
473 N2 Plasma 상태에 대해서 질문 드립니다. [1] 697
472 dry etching중 온도, 진공도, glass상태에 따라 chucking force가 변화하는지요? [1] 1108
471 Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다.. [3] 601
» 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] 320
469 ICP plasma에서 RF bias에 대한 문의가 있습니다 [2] 984
468 VPS 공정에서 압력변수관련 질문입니다. [1] 191
467 임피던스 실수부에 대해 궁금한 점이 있습니다. [4] 887
466 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] 712
465 Langmuir probe의 위치에 관한 질문입니다. [3] 543
464 상압플라즈마 제품 원리 질문드립니다 [2] 565
463 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] 1074
462 plasma etching을 관련 문의드립니다. [1] 1660
461 Wafer particle 성분 분석 [1] 1403
460 고온의 플라즈마와 저온의 플라즈마의 차이 [1] 941
459 charge effect에 대해 [2] 957
458 PECVD 증착에서 etching 관계 [1] 653
457 터보펌프 에러관련 [1] 1224
456 프리쉬스에 관한 질문입니다. [1] 309

Boards


XE Login