안녕하세요.

반도체 사업에 종사중이며, PECVD장비를 다루고 있습니다.

SiN, SiO Film 을 증착시, NF3 가스로 RPG를 사용해 Cleaning을 진행합니다.

몇몇 글을 보며, in-situ plasma를 동시에 사용하여, N2O / O2를 공급하면, Cleaning 효율이 좋다고 하는 것 같습니다.

다음에 대한 질문을 드리고 싶습니다.

1. Film 증착 시 SiH4 및 H2 Gas를 사용하는데, Cleaning 시 O2 Gas 를 사용해도 안전상 문제가 없을까요?

2. RPG를 이용한 Cleaning Process 이후, 잔여 Fluorine Gas 는 HF 형태로 잔존하고 있는 걸까요?

3. 2번에서 Cleaning Process 이후 잔여 Fluorine Gas 를 제거하는 방법이 따로 있을까요?


작은 경험이나마, Low Vacuum 에서 High Vacuum으로 전환 시 Plasma 방전 유무에 따라 Pumping Time이 확연히 차이나기는 했습니다.


감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [62] 1689
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 5776
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 49539
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 59751
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [1] 76008
483 matcher, ESC, Heater에 대해 질문 드립니다. [3] 1310
482 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 1947
481 교수님 질문이 있습니다. [1] 442
480 wafer bias [1] 583
479 Group Delay 문의드립니다. [1] 818
478 Plasma에 의한 분해 및 치환 반응(질문) [1] 292
» RPG Cleaning에 관한 질문입니다. [2] 974
476 리모트 플라스마 소스 AK 부품 수출 관련 질문 입니다 반도체 장비 부풉ㅁ 713
475 안녕하세요 ICP dry etching 관련 질문사항드립니다! [1] 967
474 PEALD관련 질문 [1] 7665
473 N2 Plasma 상태에 대해서 질문 드립니다. [1] 861
472 dry etching중 온도, 진공도, glass상태에 따라 chucking force가 변화하는지요? [1] 1527
471 Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다.. [3] 695
470 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] 399
469 ICP plasma에서 RF bias에 대한 문의가 있습니다 [2] 1488
468 VPS 공정에서 압력변수관련 질문입니다. [1] 226
467 임피던스 실수부에 대해 궁금한 점이 있습니다. [4] 1138
466 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] 815
465 Langmuir probe의 위치에 관한 질문입니다. [3] 738
464 상압플라즈마 제품 원리 질문드립니다 [2] 652

Boards


XE Login