Sheath wafer bias

2019.06.28 14:49

cassowary 조회 수:775

반도체 장비관련 업체에서 재직중인 사람입니다.

아직 플라즈마 관련하여 공부한지 얼마 되지 않아 많이 부족한ㄷ네

여기서 많은 도움을 얻다 막히는 것이 있어 질문 올리게 되었습니다.



bias 에 대해 보고 있는데


보통 RF플라즈마 내에서 극판 크기에 의한 전위 차에 의해 자연스레 웨이퍼 구간에 - 전압의 self bias가 인가 되고

이를 식각이나 증착 시 Ar+이온의 속도와 방향성을 높여줘 식각과 증착의 성능에 영향을 주는 것으로 알고 있습니다.

이런 self bias 를 증가시키기 위해 척 쪽에 RF sorce 를 인가하여 bias 를 높이는 것으로 들었습니다.

( 틀린 부분이 있다면 수정 부탁드립니다. )


1. 척에 DC 전압을 인가했을 경우 영향을 알고 싶습니다.

기본적으로 척과 웨이퍼가 부도체이기 때문에,

DC전압을 인가하면 인력으로 끌려온 Ar+ 입자가 다시 전자를 얻고 떨어지지 못하고

Ar+ 이온이 표면에 계속 누적되면서 성능에 악영향을 끼친다고 생각됩니다.

이 생각이 맞는지, 잘못된 것이 있거나 추가할 내용 부탁드립니다.



2. 척이나 히터가 아닌 웨이퍼에 전원을 직접 인가하는 경우가 있는지 알고 싶습니다.

그리고 그런 경우가 있다면, 어떤 이점을 얻을 수 있는지

없다면 왜 안하는지(불가능한지) 에 대해 간략히 설명 부탁드립니다.

제생각은 웨이퍼에 전원을 인가하는 것 자체가 구조적으로 어렵기 때문에

전원 인가가 용이한 척에 전원을 인가하는거라 생각하고 있습니다.



p.s. 실명으로 질문을 올려라 하셔서 개인정보에서 수정하였는데

질문에 올라가는건 아이디만 올라가서 실명노출이 안되네요..재가입을 해야하는건가요?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [113] 4954
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16321
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51258
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 63781
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [2] 83586
499 임피던스 매칭회로 [1] file 2124
498 전쉬스에 대한 간단한 질문 [1] 407
497 CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다. [3] 1132
496 glow 방전 현상과 플라즈마 현상에 궁금하여 글 남깁니다. [2] 829
495 plasma sheath 두께의 영향에 대하여 질문드립니다. [2] 2031
494 대학원 진학 질문 있습니다. [2] 802
493 질문있습니다. [1] 1444
492 chamber impedance [1] 1679
491 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 1640
490 플라즈마 관련 기초지식 [1] 1406
489 매쳐에서의 load, tune에 대하여 좀 가르쳐 주세요~ [1] 4095
488 [질문] Plasma 장비에 대한 Monitoring 질문 [2] 860
487 Ion과 Radical의 이동 거리 및 거리에 따른 농도와 증착 품질 관련 [1] 481
486 Matcher의 Load, Tune 영향을 미치는 요소가 궁금합니다. [2] 5642
485 EEDF, IEDF, Cross section관련 질문 [1] 949
484 ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] 844
483 matcher, ESC, Heater에 대해 질문 드립니다. [3] 1806
482 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2423
481 교수님 질문이 있습니다. [1] 541
» wafer bias [1] 775

Boards


XE Login