안녕하세요.

저는 RF를 전공하고, 현재 RF 소자 시뮬레이션 관련 일을 하고 있는 강경석이라고 합니다.


기존에는 안테나나 필터와 같은 RF수동소자에 대해서 해석을 주로 진행하였습니다만, 반도체 공정 장비에 대한 해석업무를 하게 되었습니다. 

그래서 공정 장비에 RF 해석을 어떤 부분에서 접목 가능할까부터 시작하였고, 스터디 결과, 플라즈마를 이용한 ICP, CCP, Ion implantation에 접목 시킬 수 있겠다 라는 결론이 도출 된 상태입니다.

그래서 ICP, CCP, Ion implant 관련하여 스터디 하는 도중에 막히는 부분이 생겨서 이렇게 질문드립니다.


제가 공부한 바로는 플라즈마를 발생시킬 때 가스에 인가하는 에너지 타입에 따라서 ICP, CCP로 나뉜다고 이해 하였습니다.

그리고 Ion implant는 Ion을 주입하여서 반도체 wafer에 어떤 극성을 갖게 만드는 것이라고 이해하였구요,


여기서 질문은 그럼 ICP, CCP 장치에서 발생시킨 플라즈마를 가지고 Ion Implant 공정에 활용 하는 것인가요?

1. ICP. CCP에서 발생시킨 플라즈마에서 양이온만을 골라내서 Ion implant 공정에 활용하는것인지 궁금합니다.

2. 양이온만 골라내고, 나머지 전자는 어떻게 처리하는지 궁금합니다.


제가 전공이 이쪽이 아니라서, 질문이 너무 애매모호 합니다..ㅠ 질문도 많은것을 알고 있어야 정확하게 질문할 수 있는데, 제가 배경지식이 너무 부족하다보니 질문이 애매하네요, 바쁘시겠지만 답변 부탁드립니다.


감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] 77000
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20343
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57265
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68809
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92809
501 Ar과 O2 plasma source에 따른 ignition condition에 대하여 질문 있습니다. [1] 2383
500 공정플라즈마 [1] 1165
499 임피던스 매칭회로 [1] file 2834
498 전쉬스에 대한 간단한 질문 [1] 554
497 CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다. [3] 1716
496 glow 방전 현상과 플라즈마 현상에 궁금하여 글 남깁니다. [2] 1531
495 plasma sheath 두께의 영향에 대하여 질문드립니다. [2] 3451
494 대학원 진학 질문 있습니다. [2] 1174
493 질문있습니다. [1] 2587
492 chamber impedance [1] 2021
491 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 3354
490 플라즈마 관련 기초지식 [1] 2152
489 매쳐에서의 load, tune에 대하여 좀 가르쳐 주세요~ [1] 5113
488 [질문] Plasma 장비에 대한 Monitoring 질문 [2] 1849
487 Ion과 Radical의 이동 거리 및 거리에 따른 농도와 증착 품질 관련 [1] 751
486 Matcher의 Load, Tune 영향을 미치는 요소가 궁금합니다. [2] 6301
485 EEDF, IEDF, Cross section관련 질문 [1] 1684
» ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] 1197
483 matcher, ESC, Heater에 대해 질문 드립니다. [3] 3227
482 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2896

Boards


XE Login