Deposition PECVD Precursor 별 Arcing 원인

2019.09.23 17:31

강동범 조회 수:810

안녕하십니까 교수님. 현업 종사자로 Plasma Arcing 이슈로 문의코자 합니다.


현재 사용하는 Precursor는 TEOS로 Ar Carrier Gas를 사용합니다.

Low k CVD에서는 OMCTS로 Precursor를 변경하고 He Carrier Gas를 사용합니다.

이 때, OMCTS를 사용하는 Low k에서 Arcing이 발생하여 원인을 찾고자 합니다.


추측하는 원인으로는 교수님께서 Arcing Mechanism으로 언급하셨던 주위 부품들에서 축전된 전하로 발생할 가능성을 기반으로,

부품의 유전율은 동일하니, Sheath의 두께가 달라 Capacity가 다를 수 있어 Arcing에 취약하지 않을까 추측하고 있습니다.


관련 문헌들을 조사하였을 때, He Gas가 Ar에 비해  Sheath 두께가 얇고, Ion Density가 높음을 보입니다. 또한, 일부 문헌에서는 Precursor의 Corss section이 달라져 Sheath에 영향을 준다고 합니다.


정리하자면, TEOS, Ar -> OMCTS,He으로 변경 시, Arcing이 발생하는 것은 Sheath의 두께에 따른 Capacity 차이에 의함이 아닌가 싶습니다.


검토해주셔서 답변해주시면 감사하겠습니다.

번호 제목 조회 수
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 217
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 48923
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 56113
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [1] 63532
495 plasma sheath 두께의 영향에 대하여 질문드립니다. [2] 1032
494 대학원 진학 질문 있습니다. [2] 523
493 질문있습니다. [1] 1056
492 chamber impedance [1] 1404
» PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 810
490 플라즈마 관련 기초지식 [1] 974
489 매쳐에서의 load, tune에 대하여 좀 가르쳐 주세요~ [1] 1879
488 [질문] Plasma 장비에 대한 Monitoring 질문 [2] 565
487 Ion과 Radical의 이동 거리 및 거리에 따른 농도와 증착 품질 관련 [1] 317
486 Matcher의 Load, Tune 영향을 미치는 요소가 궁금합니다. [2] 4303
485 EEDF, IEDF, Cross section관련 질문 [1] 539
484 ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] 561
483 matcher, ESC, Heater에 대해 질문 드립니다. [3] 924
482 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 1337
481 교수님 질문이 있습니다. [1] 370
480 wafer bias [1] 442
479 Group Delay 문의드립니다. [1] 734
478 Plasma에 의한 분해 및 치환 반응(질문) [1] 242
477 RPG Cleaning에 관한 질문입니다. [2] 597
476 리모트 플라스마 소스 AK 부품 수출 관련 질문 입니다 반도체 장비 부풉ㅁ 645

Boards


XE Login