Deposition PECVD Precursor 별 Arcing 원인

2019.09.23 17:31

강동범 조회 수:1013

안녕하십니까 교수님. 현업 종사자로 Plasma Arcing 이슈로 문의코자 합니다.


현재 사용하는 Precursor는 TEOS로 Ar Carrier Gas를 사용합니다.

Low k CVD에서는 OMCTS로 Precursor를 변경하고 He Carrier Gas를 사용합니다.

이 때, OMCTS를 사용하는 Low k에서 Arcing이 발생하여 원인을 찾고자 합니다.


추측하는 원인으로는 교수님께서 Arcing Mechanism으로 언급하셨던 주위 부품들에서 축전된 전하로 발생할 가능성을 기반으로,

부품의 유전율은 동일하니, Sheath의 두께가 달라 Capacity가 다를 수 있어 Arcing에 취약하지 않을까 추측하고 있습니다.


관련 문헌들을 조사하였을 때, He Gas가 Ar에 비해  Sheath 두께가 얇고, Ion Density가 높음을 보입니다. 또한, 일부 문헌에서는 Precursor의 Corss section이 달라져 Sheath에 영향을 준다고 합니다.


정리하자면, TEOS, Ar -> OMCTS,He으로 변경 시, Arcing이 발생하는 것은 Sheath의 두께에 따른 Capacity 차이에 의함이 아닌가 싶습니다.


검토해주셔서 답변해주시면 감사하겠습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [47] 972
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 749
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 49342
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 58776
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [1] 73049
509 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] 1344
508 진학으로 고민이 있습니다. [2] 599
507 플라즈마 형성시 하전입자의 밀도와 챔버에 관련해서 질문드립니다. [2] 515
506 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 1105
505 전자기장 및 유체 시뮬레이션 관련 [1] 305
504 ICP reflecot power 관련 질문드립니다. [1] 712
503 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] 744
502 Arcing(아킹) 현상 및 local plasma 관련 문의 [1] 2995
501 Ar과 O2 plasma source에 따른 ignition condition에 대하여 질문 있습니다. [1] 740
500 공정플라즈마 [1] 625
499 임피던스 매칭회로 [1] file 1774
498 전쉬스에 대한 간단한 질문 [1] 309
497 CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다. [3] 707
496 glow 방전 현상과 플라즈마 현상에 궁금하여 글 남깁니다. [2] 545
495 plasma sheath 두께의 영향에 대하여 질문드립니다. [2] 1296
494 대학원 진학 질문 있습니다. [2] 594
493 질문있습니다. [1] 1195
492 chamber impedance [1] 1481
» PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 1013
490 플라즈마 관련 기초지식 [1] 1118

Boards


XE Login