안녕하세요! 저는 ICP와 CCP 에쳐장비를 이용해서 산화물 반도체 식각 연구를 진행중인 석사과정 학생입니다.


기존의 ICP 에처를 이용하였을때에는 기존 페이퍼의 경향대로 bias power 증가시 Etch rate 증가하는 결과를 얻을 수 있었는데요!


CCP 장비를 이용하고 나서는 오히려 Power 증가할 때 Etch rate가 감소하는 현상을 보였습니다.


사용한 가스는 CH4 H2 Ar 혼합가스 이고 Power는 150W , 180W에서 실험을 진행했는데 Etch rate는 반토막이 나서 결과를 이해하는데 어려움을 겪고 있습니다.


Power 증가시 Ion energy 및 dissociation 증가로 radical flux 또한 증가하게 될터이니, 당연히 Etch rate까지 증가하는게 맞다고 생각하는데요,( power 이외의 gas flow rate , temperature, pressure 등의 조건은 모두 동일합니다.)


다만 한가지 의심이 드는건,  ion bombardment + Radical의 Chemical reaction이 진행하는 경우보다 Ion의 sputtering을 진행하는 메커니즘이 dominent해지기 때문일 것이라는 생각이 드는데... 

이부분에 대해서 설명을 부탁드리기 위해 글을 남겼습니다. 감사합니다

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [47] 973
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 749
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 49342
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 58777
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [1] 73049
509 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] 1344
508 진학으로 고민이 있습니다. [2] 599
507 플라즈마 형성시 하전입자의 밀도와 챔버에 관련해서 질문드립니다. [2] 515
506 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 1105
505 전자기장 및 유체 시뮬레이션 관련 [1] 305
504 ICP reflecot power 관련 질문드립니다. [1] 712
503 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] 744
502 Arcing(아킹) 현상 및 local plasma 관련 문의 [1] 2995
501 Ar과 O2 plasma source에 따른 ignition condition에 대하여 질문 있습니다. [1] 740
500 공정플라즈마 [1] 625
499 임피던스 매칭회로 [1] file 1774
498 전쉬스에 대한 간단한 질문 [1] 309
» CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다. [3] 707
496 glow 방전 현상과 플라즈마 현상에 궁금하여 글 남깁니다. [2] 545
495 plasma sheath 두께의 영향에 대하여 질문드립니다. [2] 1296
494 대학원 진학 질문 있습니다. [2] 594
493 질문있습니다. [1] 1195
492 chamber impedance [1] 1481
491 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 1013
490 플라즈마 관련 기초지식 [1] 1118

Boards


XE Login