안녕하십니까 교수님. 플라즈마를 공부하고 있는 전기공학과 학생입니다.

다름이 아니라 전쉬스 부분에서 전자밀도와 이온 밀도가 같다고 할 수 있는 근거가 무엇입니까? 또한 전쉬스 공간의 길이는 디바이 길이보다 훨씬 커야하는데 전쉬스 공간의 길이의 제한범위가 있는지요?

 

cf) 

플라즈마 기초부부넹서 EXB 표류 운동에서 전기장 대신 중력이 전기장 방향으로 작용한다면 전자와 이온의 표류운동은 어떻게 되는 궁금합니다.

 

항상 성심껏 답변해주셔서 감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [330] 101904
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24472
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61127
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73160
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105330
513 Si Wafer에 Plasma를 처리했을때 정전기 발생 [Particle 관리] [1] 1195
512 Hollow Cahthode glow Discharge 실험 관련해서 여쭤보고싶습니다. [장치 setting과 전극재료] [1] file 1041
511 에쳐장비HF/LF 그라운드 관련 [1] 20031
510 매쳐 출력값 검토 부탁 드립니다. [RF plasma와 circuit model] [1] 1096
509 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [Etch와 IEDF] [2] 4152
508 진학으로 고민이 있습니다. [복수전공] [2] 1332
507 플라즈마 형성시 하전입자의 밀도와 챔버에 관련해서 질문드립니다. [Skin depth, global model과 floating potential] [2] 1551
506 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [Flow rate와 moral ratio, resident time] [1] 3683
505 전자기장 및 유체 시뮬레이션 관련 [핵융합 연구소] [1] 783
504 ICP reflecot power [Insulator와 rf leak] [1] 2027
503 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [MFC와 residence time] [1] 2551
502 Arcing(아킹) 현상 및 local plasma 관련 문의 [ESC와 matcher] [1] 13849
501 Ar과 O2 plasma source에 따른 ignition condition에 대하여 질문 있습니다. [Step ionization, Dissociative ionization] [1] 3031
500 공정플라즈마 [플라즈마 입자 거동 및 유체 방정식] [1] 1457
499 임피던스 매칭회로 [전기공학 회로 이론 및 impedance matching] [1] file 3291
» 전쉬스에 대한 간단한 질문 [Debye length 및 sheath 형성] [1] 821
497 CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다. [Plasma chemistry] [3] 2067
496 glow 방전 현상과 플라즈마 현상에 궁금하여 글 남깁니다. [고전압 방전 및 DBD] [2] 2014
495 plasma sheath 두께의 영향에 대하여 질문드립니다. [Child-Langmuir sheath model] [2] 4355
494 대학원 진학 질문 있습니다. [전공 설계] [2] 1424

Boards


XE Login