안녕하세요 교수님~

현재 연구실에서 플라즈마 에칭 장비에 대해 공부하고 있는 학생입니다.

다름이 아니라 이제까지 소형 챔버에서 에칭 실험을 진행하다가 대형 챔버로 바꾸어 실험하면서 궁금한 점이 생겨 질문드립니다.

1. 같은 압력에서 (예: 10mTorr) 유량 (sccm)만 바꿔가며 실험하고 있는데 이것이 어떤 관계가 있는지 궁금합니다.

2. 소형챔버에서 발견한 유량을 대형챔버로 그대로 옮겨버리면 residence time이 확줄어서 더 많은 sccm을 넣어야한다는데 

   PV/유량 = residence time 이라는 식에서 바라본다면 V가 증가하여 오히려 증가하는거 아닌가 궁금합니다.

번호 제목 조회 수
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 217
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 48919
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 56111
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [1] 63532
515 간단한 질문 몇개드립니다. [1] 251
514 matcher에서 load,tune의 역할이 궁금합니다. [1] 1095
513 Si Wafer에 Plasma를 처리했을때 정전기 발생 [1] 296
512 Hollow Cathode glow Discharge 실험 관련해서 여쭤보고싶습니다. [1] file 228
511 에쳐장비HF/LF 그라운드 관련 [1] 3540
510 매쳐 출력값 검토 부탁 드립니다. [1] 368
509 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] 938
508 진학으로 고민이 있습니다. [2] 527
507 플라즈마 형성시 하전입자의 밀도와 챔버에 관련해서 질문드립니다. [2] 446
506 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 936
505 전자기장 및 유체 시뮬레이션 관련 [1] 247
504 ICP reflecot power 관련 질문드립니다. [1] 567
» 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] 581
502 Arcing(아킹) 현상 및 local plasma 관련 문의 [1] 2032
501 Ar과 O2 plasma source에 따른 ignition condition에 대하여 질문 있습니다. [1] 608
500 공정플라즈마 [1] 546
499 임피던스 매칭회로 [1] file 1588
498 전쉬스에 대한 간단한 질문 [1] 266
497 CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다. [3] 606
496 glow 방전 현상과 플라즈마 현상에 궁금하여 글 남깁니다. [2] 439

Boards


XE Login