Etch Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [Flow rate와 moral ratio, resident time]

2019.12.01 17:46

이윤표 조회 수:3692

학부에서 현재 반도체 공정에 대해 공부를 하고 있는 학생입니다. 

현재 RIE를 통해 oxide가 깔린 웨이퍼를 dry etching 하는 실험을 진행중에 있습니다. 

실험을 통해 oxide를 rf power 75W, 시간은 1분으로 고정시킨후 CF4가스를 10sccm에서 50sccm으로 증가시키면서 etch rate를 측정한 결과 etch rate가 감소하는 결과가 나왔습니다. 제 생각에는 plasma에 있는 이온이 웨이퍼로 이동하는 과정에서 gas의 밀도가 높아져 scattering이 증가해 physical etch가 감소하고 그로 인해 oxide의 bonding이 덜 깨져 radical에 의한 chemical etching도 감소한 것으로 예상되는데 제 생각이 맞는지 궁금합니다.

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [330] 102047
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24532
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61180
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73229
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105434
653 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [Self bias] [1] 1419
652 Matcher 구성에 따른 챔버 임피던스 영향에 대해 문의드립니다. [Matcher와 Plasma Impedence] [1] 2046
651 플라즈마 세정 장비 (CCP구조)에서 자재 로딩 수에 따른 플라즈마 효과 및 Discolor [CCP 방전 원리] [1] file 1317
650 doping type에 따른 ER 차이 [MD 시뮬레이션 연구] [1] 2769
649 ICP Dry Etch 진행시 정전기 발생에 관한 질문입니다. [국부 전기장 형성 및 edge 세정] [1] 1230
648 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [세정 시간 및 식각 효율] [1] 4531
647 MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [Collisional sheath 정의] [1] 1608
646 Tungsten 표면 Contamination 제거(실명재등록) [Atmostpheric pressure plasma jet] [1] 1198
645 plasma 형성 관계 [Paschen's law, 플라즈마 주파수] [1] 2032
644 RF matcher와 particle 관계 [DC glow 방전, 플라즈마 임피던스] [2] 3981
643 Bias 관련 질문 드립니다. [Ion plasma frequency] [1] 4011
642 Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. [자유행정거리, Child law sheath] [1] 5430
641 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [Polymer coating 식각] [1] 3079
640 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [O2 plasma, ion sputtering] [1] 1624
639 임피던스 매칭 및 플라즈마 진단 [플라즈마 전류량] [1] 1613
638 Plasma 식각 test 관련 문의 [플라즈마 데이터 처리] [1] 4362
637 RF 전압과 압력의 영향? [DC glow 방전, Paschen's Law] [1] 2237
636 Plasma Cleaning 관련 문의 [Remote plasma source] [1] 1837
635 Uniformity 관련하여 문의드립니다. [베르누이 정리] [1] 1543
634 standing wave effect에 대한 질문이 있습니다. [Standing wave 운전 조건, 안테나 설계] [1] 2366
쓰기
태그

Boards

XE Login