Matcher matcher에서 load,tune의 역할이 궁금합니다.
2020.01.11 04:30
안녕하세요 반도체 회사에 다니고있는 구성원입니다.
에칭장비를 담당하는데, 챔버 pm후 RF가 세팅값까지 안올라오는 경우
오토매칭을 사용하지 않고, 매쳐의 LOAD,TUNE값을 조절해서 RF POWER를 원하는 값으로 맞추는데요
원리를 모르고 하다보니, 시간이 오래걸리고, 조절하다보면 FORWARD값은 맞춰지지만 REFLECT값도 함께 올라가서
애를먹는 경우가 있습니다
매쳐에서 LOAD, TUNE의 역할은 무엇인가요??? 또한 원하는 FORWARD/REFLECT값을 얻기위해 LOAD/TUNE 조절을 쉽게 할 수 있는 방법이 있을까요?
감사합니다.
댓글 1
-
손성현
2020.01.23 18:17
안녕하세요, 플라즈마 응용연구실의 인턴 손성현입니다. 매쳐관련 질문에 답변드립니다.일반적으로 전원공급기는 고유의 임피던스(일반적으로 50Ohm)를 가지며, 플라즈마도 임피던스를 가지기 때문에 전원공급기에서 전달하는 전력이 플라즈마에 모두 전달되지는 않고, 일부가 반사되어 돌아옵니다. 질문자님이 말씀하신 '원하는 FORWARD/REFLECT' 값을 맞춤에 있어서, 일반적으로는 REFLECT를 최소화 하여 전원장비의 전력이 플라즈마에 최대로 전달되는 상황을 원하기 때문에, 해당 상황을 상정하여 답변드리도록 하겠습니다.플라즈마로 전력을 최대로 전달하고, 반사되는 전력을 줄이기 위해서는 전원공급기 이후의 회로(부하)의 총 임피던스의 리액턴스(Reactance) 성분은 0, 저항성분은 50Ohm이 되어야 합니다. 이 조건을 맞춰주기 위해 플라즈마와 전원공급기 사이에 설치되는 회로가 매칭회로(정합회로,매쳐)이며, 2개 이상의 소자를 통해 정합을 하게 됩니다. 가장 기본적인 타입은 2개의 소자로 임피던스 정합을 하는 L형 정합회로 이며, 3개의 소자를 사용하는 Pi형, T형 정합회로도 있습니다. L형 정합회로를 사용하기에 적절한 임피던스 영역은 리액턴스가 -100~100Ohm, 실수저항의 경우 1~50Ohm 사이 값을 가지는 영역입니다. Pi형의 경우 실수저항성분이 50Ohm보다 큰 경우와 리액턴스 성분이 높은 경우에 적용가능하며, T형의 경우 LCD장비와 같이 대면적 CCP에 주로 사용된다고 알려져 있습니다.대표적인 ICP(13.56MHz)의 경우 Standard L-type의 정합회로를 사용하게 됩니다. 보통 두 개의 축전기를 이용해서 정합회로를 구성하고, 하나의 축전기는 안테나와 직렬로, 다른 하나는 병렬로 연결합니다. 안테나와 직렬로 연결된 축전기를 tune capacitor, 병렬로 연결된 축전기를 load capacitor라고 부릅니다. Tune capacitor는 직렬로 연결되어 있으므로 플라즈마의 저항성분에 의한 영향을 조정하고, load capacitor는 플라즈마와 병렬로 연결되어있기 때문에 리액턴스 성분을 조정할 수 있게 됩니다. 그리고 각 축전기가 가변축전기로 구성되는데 그 이유는 다음과 같습니다. 플라즈마의 임피던스는 전자밀도와 전자온도의 함수인데, 인가전력이나 운전압력에 따라 전자밀도와 전자온도 등 플라즈마 특성이 달라지기 때문에 각 조건에 따라 정합이 되는 축전용량이 달라지기 때문입니다.정합을 조정하는 방법은 스미스 차트를 이용하는 방법이 대표적입니다. 스미스 차트에서 오른쪽부터 시작되는 원의 직경은 실수부를 의미하고, 오른쪽 끝에서 사방으로 퍼져나가는 모양의 곡선은 허수부를 의미합니다. 복소 부하 임피던스는 스미스 차트 상에서 어느 한 점으로 표시되는데, 임피던스 정합을 수행할 때, 표시되는 점이 스미스 차트상의 원의 중심으로 향하도록 두 개의 축전기 값을 조정하면 됩니다.더 자세한 정보는 다음의 참고문헌에 자세히 나와 있습니다.- 이상원, " 전기적 특성을 고려한 ICP Source 설계", 한국진공학회지 제18권 제3호 2009.5, pp. 176~185(10pages)- Lieberman, Principles of Plasma Discharges and Materials Processing
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [283] | 77219 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20468 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57362 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68902 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92950 |
| 626 | OES를 이용한 Gas Species 정량적 분석 방법 [1] | 799 |
| 625 | Collisional mean free path 문의... [1] | 805 |
| 624 | 플라즈마 충격파 질문 [1] | 815 |
| 623 | Si Wafer에 Plasma를 처리했을때 정전기 발생 [1] | 817 |
| 622 | 방전수 활성종 중 과산화수소 측정에 관련하여 질문드립니다. [1] | 818 |
| 621 | DBD Plasma Actuator 원리에 대한 질문입니다. [1] | 821 |
| 620 | 라디컬의 재결합 방지 [1] | 824 |
| 619 | ECR ion source에서 plasma가 켜지면 RF reflect가 심해집니다. [2] | 828 |
| 618 | 플라즈마 장치 관련 기초적 질문입니다. [1] | 832 |
| 617 | RF Frequency 가변과 FORWARD POWER의 상관관계 [2] | 834 |
| 616 | RF 파워서플라이 매칭 문제 | 843 |
| 615 | 플라즈마용사코팅에서의 carrier gas [1] | 846 |
| 614 | PPV(플라즈마 용융 유리화)에 관해 질문드립니다. [1] | 849 |
| 613 | center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 [1] | 852 |
| 612 | ICP Dry Etch 진행시 정전기 발생에 관한 질문입니다. [1] | 856 |
| 611 | RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] | 859 |
| 610 | 매쳐 출력값 검토 부탁 드립니다. [1] | 861 |
| 609 | RF MATCHING 관련 교재 추천 부탁드립니다 [1] | 863 |
| 608 | 연면거리에 대해 궁금합니다. [1] | 866 |
| 607 | Self bias 내용 질문입니다. [1] | 881 |