안녕하세요. 플라즈마 장비를 다루면서 당연시 생각했던건데 이유를 생각해보면 

막상 안떠오를때가 있습니다. 그래서 몇가지 질문드리려고요.

1.같은 메이커 같은 모델의  장비를 쓸때에도 depo rate, etch rate가 제각기 다른데

이런이유를 어떻게 설명해야될까요..

2.하루종일 장비를 안쓰면 etch rate가 달라지는데 leak가 있어서 진공이 달라진것도

아닌데 왜 이런현상이 일어날까요? 이런 현상때문에 일부러 dummy wafer를 칠때가

있습니다.

3.chamber를 open한 직후와 많이 양산이 돌아간 상태에서 마찬가지로 rate가 달라지는데

이유가 있을까요?

4.chamber 벽 표면의 물질이 달라지면 플라즈마의 특성, 쉬스 이런것들이 달라지나요?

(Sputter 장비에서 shield의 부산물 포획특성을 위해 coating의 물질을 바꾸는 경우가 있어

문의드립니다)

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [330] 102046
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24532
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61180
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73227
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105433
653 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [Self bias] [1] 1419
652 Matcher 구성에 따른 챔버 임피던스 영향에 대해 문의드립니다. [Matcher와 Plasma Impedence] [1] 2046
651 플라즈마 세정 장비 (CCP구조)에서 자재 로딩 수에 따른 플라즈마 효과 및 Discolor [CCP 방전 원리] [1] file 1317
650 doping type에 따른 ER 차이 [MD 시뮬레이션 연구] [1] 2769
649 ICP Dry Etch 진행시 정전기 발생에 관한 질문입니다. [국부 전기장 형성 및 edge 세정] [1] 1230
648 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [세정 시간 및 식각 효율] [1] 4531
647 MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [Collisional sheath 정의] [1] 1608
646 Tungsten 표면 Contamination 제거(실명재등록) [Atmostpheric pressure plasma jet] [1] 1198
645 plasma 형성 관계 [Paschen's law, 플라즈마 주파수] [1] 2031
644 RF matcher와 particle 관계 [DC glow 방전, 플라즈마 임피던스] [2] 3981
643 Bias 관련 질문 드립니다. [Ion plasma frequency] [1] 4011
642 Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. [자유행정거리, Child law sheath] [1] 5430
641 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [Polymer coating 식각] [1] 3079
640 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [O2 plasma, ion sputtering] [1] 1624
639 임피던스 매칭 및 플라즈마 진단 [플라즈마 전류량] [1] 1613
638 Plasma 식각 test 관련 문의 [플라즈마 데이터 처리] [1] 4362
637 RF 전압과 압력의 영향? [DC glow 방전, Paschen's Law] [1] 2237
636 Plasma Cleaning 관련 문의 [Remote plasma source] [1] 1837
635 Uniformity 관련하여 문의드립니다. [베르누이 정리] [1] 1543
634 standing wave effect에 대한 질문이 있습니다. [Standing wave 운전 조건, 안테나 설계] [1] 2366

Boards


XE Login