안녕하세요 저는 반도체관련 업체에서 일하고 있는 최철운입니다.

ESC쪽을 공부하면서 Plasma Dechuck process가 궁금해졌는데요.

J-R TYPE ESC 같은 경우 일반적으로  ESC쪽의 Voltage를 끈 후 wafer의 잔여 전하를 Plasma를 이용해 dechuck을 한다고하는데 이는 어떤 process로 행해지는 지 궁금합니다. 체 추측으로는 plasma들이 wafer를 때리면서 중성화를 시켜 dechuck을 시킨다고 생각이 되는데 맞는지요?


또한 궁금한게 Columb Force방식의 ESC는 voltage를 끌시 잔여 전하가 남지 않기때문에 바로 Dechuck이 되며 plasma를 킬필요가 없다고하는데 Plasma dechuck을 사용하여 particle 개선 효과가 있는지 궁금합니다.

 Plasma Dechuck을 사용할시 챔버 내의  잔류 가스들을 가두고 wafer표면에 떨어지게 막으면서 pump쪽으로 흐르게하는 것인가요? 어떤 원리로 particle 제거 효과가 있는지... 궁금합니다.


감사합니다~

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [330] 102204
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24573
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61230
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73314
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105537
633 ICP 대기압 플라즈마 분석 [Collisional plasma, LTE 모델] [1] 959
632 RF 주파수와 공정 Chamber 크기의 상관관계 [Standing wave effect] [1] 2913
631 IMPEDANCE MATCHING PATH에서 S/H ~ MATCHER 간 전력전송 방법들에 대해 문의드립니다. [접촉 저항] [2] 1930
630 안녕하세요 DBD 플라즈마 소독 관련질문입니다. [상압 플라즈마 임피던스, matching] [1] 609
629 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [표면 화학 반응] [1] 2011
628 ESC 표면 온도랑 식각률의 차이가 어떤 관계로 있는걸까요?? [ESC 영역 온도 조절] [1] 2906
627 ICP와 CCP는 단순히 플라즈마를 생서하는 방법인가요? [플라즈마 생성 기전, RIE 모드] [1] 9398
626 CCP 구조가 ICP 구조보다 Arcing 발생에 더 취약한가요? [Breakdown 전기장, 아크 방전] [3] 4194
625 ESC Dechuck과 관련하여 궁금한점이 있어 문의를 드립니다. [1] 15735
624 CVD 막질의 성질에 대해 질문드립니다. [챔버 벽면 성질 및 가스 손실] [1] 1755
623 전자 온도에 대한 질문이 있습니다. [Light flower bulb] [1] 1290
622 RF 전류가 흐르는 Shower head를 TC로 온도 측정 할 때 [TC gauge 동작 원리] [1] 1164
621 CCP plasma에서 gap과 Pressure간의 상관관계 [Paschen's Law, P-d 방전 곡선] [1] 2786
620 데포 중 RF VDC DROP 현상 [부유 전극의 self bias 형성] [1] 1833
619 OES 분석 관련해서 질문드립니다. [Intensity 넓이 계산] [1] 2033
618 CF3의 wavelength가 궁금해서 질문드립니다. [핵융합 연구소 자료] [1] 971
617 anode sheath 질문드립니다. [Sheath 형성 메커니즘] [1] 1456
616 안녕하세요. Plasma etch rate에 관하여 질문이 있습니다. [단위 Chamber의 PM 이력] [1] 1001
615 플라즈마를 통한 정전기 제거관련. [플라즈마 표면 반응] [1] 1066
614 RF 케이블 발열 현상관련 문의 드립니다. 1657

Boards


XE Login