Deposition 질문있습니다 교수님

2020.05.06 15:46

한필섭 조회 수:14616

안녕하세요. 이제 막 반도체 수업을 듣기시작한 학생입니다. 한 질문에 궁금증이 생겨 질문 남기게 되었습니다.

4인치 웨이퍼 기준 100nm 두께로 구리 등 금속 박막을 대량으로 하려면 어떻게 해야될까 인 부분이었습니다.

이때 제 생각으로는 CVD공정이 가장 적합한것이 아닌가? 라고 생각하면서도 각 공정마다 장단점이 있어 헷갈립니다.

PVD의 경우 증착속도가 느리고, ALD의 경우 낮은생산 성 등..

어떠한 공정이 가장 적합한 공정이 될 수 있는지 궁금합니다 감사합니다

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [99] 3632
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 15313
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 50569
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 62980
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [2] 82014
548 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 591
547 플라즈마 PIC 질문드립니다. [1] 10181
546 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 907
545 O2 Asher o-ring 문의드립니다. [1] 527
544 진공장치 챔버내 산소 또는 수분 제거 방법에 대해 [1] 1270
543 자외선 세기와 결합에너지에 대해 질문드립니다. [1] 273
542 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 1132
541 플라즈마 입자 운동 원리(전자기장에서) [1] 630
540 CCP/ICP 의 플라즈마 밀도/균일도 에 대해서 질문이 있습니다. [3] 1954
539 플라즈마 살균 방식 [2] 10627
538 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] 774
537 RF/LF에 따른 CVD 막질 UNIFORMITY [1] 988
536 H-field 측정위치에 따른 H Field MAP 변화 관련 [1] 252
535 Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] 675
534 Matcher의 Load/Tune Position 거동에 관해 질문이 있습니다. [2] 1539
533 O2 plasma, H2 plasma 처리 관련 질문이 있습니다. [1] 5782
532 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 750
531 RPS를 이용한 SIO2 에칭 [1] 1741
530 쉬스(sheath)에서 전자와 이온의 감소 관련하여 질문 [1] 1238
» 질문있습니다 교수님 [1] 14616

Boards


XE Login