Deposition 질문있습니다 교수님 [Deposition]

2020.05.06 15:46

한필섭 조회 수:22700

안녕하세요. 이제 막 반도체 수업을 듣기시작한 학생입니다. 한 질문에 궁금증이 생겨 질문 남기게 되었습니다.

4인치 웨이퍼 기준 100nm 두께로 구리 등 금속 박막을 대량으로 하려면 어떻게 해야될까 인 부분이었습니다.

이때 제 생각으로는 CVD공정이 가장 적합한것이 아닌가? 라고 생각하면서도 각 공정마다 장단점이 있어 헷갈립니다.

PVD의 경우 증착속도가 느리고, ALD의 경우 낮은생산 성 등..

어떠한 공정이 가장 적합한 공정이 될 수 있는지 궁금합니다 감사합니다

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [330] 102070
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24542
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61188
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73236
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105450
653 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [Self bias] [1] 1420
652 Matcher 구성에 따른 챔버 임피던스 영향에 대해 문의드립니다. [Matcher와 Plasma Impedence] [1] 2050
651 플라즈마 세정 장비 (CCP구조)에서 자재 로딩 수에 따른 플라즈마 효과 및 Discolor [CCP 방전 원리] [1] file 1319
650 doping type에 따른 ER 차이 [MD 시뮬레이션 연구] [1] 2770
649 ICP Dry Etch 진행시 정전기 발생에 관한 질문입니다. [국부 전기장 형성 및 edge 세정] [1] 1230
648 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [세정 시간 및 식각 효율] [1] 4535
647 MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [Collisional sheath 정의] [1] 1608
646 Tungsten 표면 Contamination 제거(실명재등록) [Atmostpheric pressure plasma jet] [1] 1199
645 plasma 형성 관계 [Paschen's law, 플라즈마 주파수] [1] 2035
644 RF matcher와 particle 관계 [DC glow 방전, 플라즈마 임피던스] [2] 3987
643 Bias 관련 질문 드립니다. [Ion plasma frequency] [1] 4017
642 Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. [자유행정거리, Child law sheath] [1] 5434
641 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [Polymer coating 식각] [1] 3085
640 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [O2 plasma, ion sputtering] [1] 1625
639 임피던스 매칭 및 플라즈마 진단 [플라즈마 전류량] [1] 1614
638 Plasma 식각 test 관련 문의 [플라즈마 데이터 처리] [1] 4363
637 RF 전압과 압력의 영향? [DC glow 방전, Paschen's Law] [1] 2243
636 Plasma Cleaning 관련 문의 [Remote plasma source] [1] 1843
635 Uniformity 관련하여 문의드립니다. [베르누이 정리] [1] 1543
634 standing wave effect에 대한 질문이 있습니다. [Standing wave 운전 조건, 안테나 설계] [1] 2368
쓰기
태그

Boards

XE Login