안녕하세요.

대학원에서 플라즈마에 대해 공부하고 있습니다. 

플라즈마 생성 후 절연체를 넣고 쉬스가 생성된 후에 

플라즈마에서 기판으로 갈 때 전자는 지수적으로, 이온은 선형적으로 감소한다고 하는데

그 이유가 궁금합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [62] 1603
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 2545
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 49537
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 59746
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [1] 75861
543 자외선 세기와 결합에너지에 대해 질문드립니다. [1] 190
542 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 832
541 플라즈마 입자 운동 원리(전자기장에서) [1] 514
540 CCP/ICP 의 플라즈마 밀도/균일도 에 대해서 질문이 있습니다. [3] 1655
539 플라즈마 살균 방식 [2] 10439
538 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] 597
537 RF/LF에 따른 CVD 막질 UNIFORMITY [1] 693
536 H-field 측정위치에 따른 H Field MAP 변화 관련 [1] 175
535 Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] 551
534 Matcher의 Load/Tune Position 거동에 관해 질문이 있습니다. [2] 1109
533 O2 plasma, H2 plasma 처리 관련 질문이 있습니다. [1] 2483
532 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 586
531 RPS를 이용한 SIO2 에칭 [1] 1564
» 쉬스(sheath)에서 전자와 이온의 감소 관련하여 질문 [1] 1091
529 질문있습니다 교수님 [1] 12917
528 CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] 721
527 KM 모델의 해석에 관한 질문 [1] 208
526 remote plasma 데미지 질문 [1] 7096
525 RF generator 관련 문의드립니다 [3] 981
524 Wafer Warpage에 따른 CCP Type Chamber 내부 Impedance [1] 482

Boards


XE Login