안녕하세요 반도체회사에서 CVD 공정에서 근무하고있는 사람입니다.


몇가지 질문이 있어 글을 올립니다.


1. 현재 CCP를 이용한 설비를 사용하고 있으며, RF/LF를 사용하고있는데 RF/LF의 역할에 대해 궁금합니다. RF는 전자에 거동에 영향을 주고 LF는 이온 거동에 영향을 준다고 간단하게만 알고있는데 이 내용이 맞는지요?


2. 현재 TEOS를 사용하여 CVD하고 있는 레시피 중 LF POWER가 낮은 레시피의 CVD 막질 두께의 UNIFOMITY가 LF POWER를 높게 쓰는 막질 두께의 UNIFORMITY보다 불량합니다. LF POWER가 낮은것이 막질 THK의 UNIFORMITY의 영향을 주는 것 일까요?


3. HF POWER의 세기도 CVD 막질 THK의 UNIFORMITY의 영향을 주는지 알고싶습니다.


마지막으로 항상 좋은 답변 좋은 내용 올려주셔서 감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 48587
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 49804
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [1] 55067
551 Istnieją jej towarzystwem typami, wysokokontaktowej klasie randek new 0
550 챔버내 Arcing 발생 개선안에 대해 질문드립니다. 7
549 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 40
548 플라즈마 PIC 질문드립니다. [1] 38
547 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 53
546 O2 Asher o-ring 문의드립니다. [1] 48
545 진공장치 챔버내 산소 또는 수분 제거 방법에 대해 [1] 136
544 자외선 세기와 결합에너지에 대해 질문드립니다. [1] 71
543 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 154
542 플라즈마 입자 운동 원리(전자기장에서) [1] 185
541 CCP/ICP 의 플라즈마 밀도/균일도 에 대해서 질문이 있습니다. [3] 225
540 플라즈마 살균 방식 [1] 3976
539 표면상태에 따른 코팅 전후 비교(PVD) [2] file 459
538 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] 167
» RF/LF에 따른 CVD 막질 UNIFORMITY [1] 163
536 H-field 측정위치에 따른 H Field MAP 변화 관련 [1] 65
535 Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] 132
534 Matcher의 Load/Tune Position 거동에 관해 질문이 있습니다. [2] 194
533 O2 plasma, H2 plasma 처리 관련 질문이 있습니다. [1] 602
532 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 240

Boards


XE Login