Ion/Electron Temperature Druyvesteyn Distribution
2024.05.10 18:21
안녕하십니까, 교수님. 전자과에 재학중인 3학년 학부생입니다.
EEDF에서 Bi-maxwellian과 Druyvesteyn 분포가 나타나는 원인에 대해 알아보고 있는데,
Bi-maxwellian 분포는 저압에서 나타나고, 낮은 에너지 그룹의 전자들에 대한 EEDF가 하락하며,
반면 Druyvesteyn 분포는 고압에서 나타나고, 높은 에너지 그룹의 전자들에 대한 EEDF가 하락한다고 알게 되었습니다.
Bi-maxwellian 분포에서 낮은 에너지 그룹의 전자들에 대한 EEDF가 하락하는 것은, E-mode에서는 낮은 에너지의 전자들이 쉬스 내로 진입하지 못하고, H-mode에서는 Skin depth 내로 진입하지 못하기 때문이라고 생각했습니다.(Skin layer와 Sheath의 region이 겹치므로)
다만 이것이 '저압'과 무슨 관계가 있는지는 잘 떠오르지 않습니다.
+) 이러한 접근이 아닌, 저압=저밀도 플라즈마=E-mode, 고압=고밀도 플라즈마=H-mode로 해석해야 할까요?
Druyvesteyn 분포에서 높은 에너지 그룹의 전자들에 대한 EEDF가 하락하는 것은, 고압의 경우 전자-중성종의 충돌 주파수가 RF 주파수보다 유의미하게 높을 것이고, 높은 에너지의 전자들은 이러한 충돌이 더욱 빈번하기 때문에 에너지를 얻기 힘들다고 생각해보았는데, 맞는 접근 방법인지 궁금합니다.
감사합니다.
댓글 0
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [278] | 76897 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20286 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57205 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68759 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92719 |
799 | 스터퍼링시 기판 온도 계산에 대해 질문드립니다! [1] | 16 |
798 | 공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [1] | 15 |
797 | Si 와 SiO의 선택적 식각 관련 문의입니다. | 62 |
» | Druyvesteyn Distribution | 24 |
795 | 플라즈마 식각 커스핑 식각량 | 35 |
794 | Showerhead와 Heater간 간격에 따른 RPC 효율성 [1] | 78 |
793 | C2H2 플라즈마코팅시 가스 원인과 대책 | 17 |
792 | DBD 방전 방식의 저온 플라즈마 관련해서 3가지 질문 드립니다. [1] | 31 |
791 | 새삼스럽지만 챔버 내에 전류의 정의를 여쭤보고싶습니다. [1] | 84 |
790 | 진공 챔버에서 Plasma Off시 Particle의 wafer 표면 충돌 속도 [1] | 90 |
789 | 플라즈마 설비에 대한 질문 | 76 |
788 | RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [1] | 98 |
787 | Non-maxwellian 전자 분포의 원인 [1] | 226 |
786 | skin depth에 대한 이해 [1] | 179 |
785 | Impedance I 값을 결정 짓는 요소 관련 질문 [1] | 125 |
784 | 반사파에 의한 micro arc 질문 [2] | 124 |
783 | ICP에서의 Self bias 효과 [1] | 203 |
782 | CF4/Ar 을 활용한 Si/SiO2 에칭에 관한 질문입니다. [1] | 157 |
781 | sputtering 을 이용한 film depostion [1] | 143 |
780 | Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] | 71 |