안녕하세요 교수님

반도체 후공정 회사를 다니고 있는 직장인입니다.

공정 진행 후 leakage test 결과 leakage current가 높게 나온 문제점이 발생하였습니다.

내부 엔지니어 문의 결과 O2 descum공정이 metal residue를 없애는데 도움을 준다는 답변을 받았습니다.

따라서 추가적으로 O2 descum을 진행했지만, leakage 문제는 개선되지 않았습니다.

metal residue를 없애기 위해 다른 가스(Ar, H2N2, CF4 등)를 이용한 플라즈마가 더 효과적인지 알고싶어 질문드립니다.

혹은, leakage를 개선할 수 있는 방법이 있다면 조언해주시면 감사드립니다.