안녕하세요. 반도체 회사에 근무하는 김화중입니다.

 

제목에 언급드린대로 CCP 구조에서 chamber에 쌓이는 막질에 의한 capacitance 변화가 어떻게 될지 예상해보던 중 잘 모르겠어서 질문드립니다.

 

비정질 물질을 사용하는 chamber에서 S/H에 depo 되는 막질이 쌓여감에 따라 capacitance 가 변화하고 이로 인해 impedance 가 변할걸로 예상되는데요. 변화 방향을 계산해보고 싶습니다.

 

막질 A,B가 쌓인다고 했을 때 A의 cap 값은  물질의 dielectric constant 에 비례하고 막의 두께에 반비례하게 계산하고 이 B도 마찬가지로 계산하여 원래 CCP의 cap과 막질로 의한 cap이 직렬로 연결된 구조로 봐서 총 cap 값을 계산하면 되는걸까요?

 

다른 질문들을 보면서 학습하던 중 교수님께서 답변 달아주신 "특히 CCP의 경우 전극과 벽면의 erosion 혹은 오염으로 인해 capacitance 특성이 바뀌었습니다. 표면적 변화와 피막의 절연층이 만드는 변화입니다" 라는 내용이 있던데 관련 자료를 찾기 힘들어 이렇게 질문드립니다. 너무 당연한 내용이라면 혹시 어떤 부분을 공부해보면 될지 조언해주시면 감사하겠습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [143] 5852
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 17318
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 53139
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64532
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 85142
597 매칭시 Shunt와 Series 값 [1] 994
596 RF Power와 균일도 연관성 질문드립니다. [2] 1802
595 구 대칭으로 편광된 전자기파를 조사할 때에 대한 질문입니다. [1] file 170
» CCP에서 전극에 쌓이는 막질에 의한 Capacitance 변화가 궁금합니다 [1] 1874
593 low pressure 영역에서 아킹이 더 쉽게 발생하는 이유에 관해 문의드립니댜. [1] 932
592 안녕하세요? 임피던스 매칭관련 질문드립니다. [1] 1291
591 electron energy distribution에 대해서 질문드립니다. [2] 2594
590 안녕하세요 플라즈마의 원초적인 개념에서 궁금한 점이 생겨서 질문드립니다. [1] 617
589 플라즈마 에칭 과 표면처리 의 차이점 질문드립니다. [1] 1378
588 RIE에서 O2역할이 궁금합니다 [4] 1606
587 플라즈마 챔버 [2] 785
586 Decoupled Plasma 관련 질문입니다. [1] 815
585 플라즈마 임피던스와 Vpp가 관련이 있나요? [1] 2268
584 플라즈마 용어 질문드립니다 [1] 520
583 안녕하세요 교수님. ICP관련하여 문의드립니다. [1] 1430
582 ICP-RIE etch에 관해서 여쭤볼것이 있습니다!! [1] 704
581 플라즈마 이용 metal residue 제거방법 문의드립니다. [1] 537
580 RF 반사파와 이물과의 관계 [1] 741
579 타겟 임피던스 값과 균일도 문제 [1] 302

Boards


XE Login