Matcher 매칭시 Shunt와 Series 값

2021.05.17 15:38

피했습니다 조회 수:1885

안녕하세요. 반도체 장비 기업에 다니고 있는 엔지니어 입니다.

 

다름이 아니라 CCP 방식을 쓰는 장비를 운용하기 위해서 매칭을 하는데,

 

매칭을 잘? 혹은 효율적으로 빠르게 하기 위해서 처음에 Shunt, Series 값을 지정해 주고 있습니다.

 

그렇게 하래서 하고는 있는데 이 값들이 매칭에 어떤 영향을 끼치게 되는 것인지 궁금합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [278] 76889
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20286
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57204
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68758
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92716
479 O2 플라즈마 클리닝 관련 질문 [1] 1568
478 전극에 따른 힘의 크기 질문드립니다. [1] file 1611
477 CCP에서 전자밀도증가 -> 임피던스 감소 과정 질문있습니다. [3] 1627
476 ICP reflecot power 관련 질문드립니다. [1] 1628
475 standing wave effect에 대한 질문이 있습니다. [1] 1652
474 Ar/O2 ICP 플라즈마 관하여 [1] 1672
473 Pecvd 장비 공정 질문 [1] 1675
472 EEDF, IEDF, Cross section관련 질문 [1] 1677
471 안녕하세요 교수님. ICP관련하여 문의드립니다. [1] 1678
470 RF 전압과 압력의 영향? [1] 1694
469 다중 주파수를 이용한 플라즈마 식각에서 이온 에너지 제어 관련 [1] 1707
468 압력 변화와 Ch Impedance 상관관계 질문 [1] 1709
467 CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다. [3] 1712
466 CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] 1754
465 ICP와 CCP에서의 Breakendown voltage [1] 1763
464 터보펌프 에러관련 [1] 1773
463 Edge ring과 플라즈마 밀도 균일성 [1] 1777
462 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] 1813
461 N2 Blowing Ionizer 사용 시 궁금점 질문 드립니다. [1] 1823
460 플라즈마 입자 운동 원리(전자기장에서) [1] 1855

Boards


XE Login