ESC ESC Polymer cracking 제거를 위한 ISD 공정 문의
2021.06.02 16:54
안녕하세요.
반도체 회사 설비 엔지니어로 관련 200mm conductor etcher 에서 ceramic esc 를 사용하고 있습니다.
해당 esc 를 운용하면서 공정 진행중 b-he flow error 증가하면서 error 가 발생하고 빈도가 잦아지면 교체를 하게 되는데
해당 esc 분리하여 외부 검증 요청시 표면에 polymer가 증착되어 chucking 을 떨어뜨린다고 합니다.
국내 major 회사에서도 동일한 문제가 있어서 ISD란 공정을 진행하여 polymer 제거를 하여 he error 를 개선한 이력이 있다고 하여
ISD 공정이 무엇인지..해당 공정 parameter 가 어떤것이지...가능하다면 recipe 를 어떻게 구성해야 하는지에 대한
referance 를 문의 드립니다.
댓글 0
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] | 77113 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20410 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57321 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68861 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92881 |
| 761 | 플라즈마 온도 | 27832 |
| 760 | DBD란 | 27766 |
| 759 | 플라즈마 상태와 RF MATCHING관계 문의 사항 | 27658 |
| 758 | 플라즈마 챔버 의 임피던스 관련 [2] | 27226 |
| 757 |
이온과 라디칼의 농도
 | 27035 |
| 756 | self bias (rf 전압 강하) | 26762 |
| 755 | 공정챔버에서의 아킹 및 노이즈 문제... [2] | 26504 |
| 754 | OES 원리에 대해 궁금합니다! [1] | 26253 |
| 753 | dechucking시 Discharge 불량으로 Glass 깨짐 [3] | 26235 |
| 752 | 충돌단면적에 관하여 [2] | 26203 |
| 751 | 스퍼터 DC 파워의 High 임피던스가 무슨 의미인가요? | 25590 |
| 750 | PECVD 매칭시 Reflect Power 증가 [2] | 24994 |
| 749 | Reflrectance power가 너무 큽니다. [1] | 24905 |
| 748 | 스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다.. | 24895 |
| 747 | plasma와 arc의 차이는? | 24800 |
| 746 | RF 플라즈마 챔버 내부에서 모션 구동 [1] | 24784 |
| 745 | ICP Source에서 RF Source Power에 따른 위상차와 임피던스 변화 문의 [1] | 24775 |
| 744 | H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점... [1] | 24687 |
| 743 |
반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다.
| 24637 |
| 742 | 플라즈마가 불안정한대요.. | 24530 |