안녕하세요.

반도체 회사 설비 엔지니어로 관련 200mm conductor etcher 에서 ceramic esc 를 사용하고 있습니다.

해당 esc 를 운용하면서 공정 진행중 b-he flow error 증가하면서 error 가 발생하고 빈도가 잦아지면 교체를 하게 되는데

해당 esc 분리하여 외부 검증 요청시 표면에 polymer가 증착되어 chucking 을 떨어뜨린다고 합니다.

 

국내 major 회사에서도 동일한 문제가 있어서 ISD란 공정을 진행하여 polymer 제거를 하여 he error 를 개선한 이력이 있다고 하여

ISD 공정이 무엇인지..해당 공정 parameter 가 어떤것이지...가능하다면 recipe 를 어떻게 구성해야 하는지에 대한

referance 를 문의 드립니다. 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [330] 102103
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24548
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61197
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73269
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105485
612 CVD (CCP) 공정의 Chamber seasoning과 플라즈마 밀도 [Plasma information variable model] [1] 2570
611 라디컬의 재결합 방지 [해리 반응상수] [1] 1094
610 LF Power에의한 Ion Bombardment [플라즈마 장비 물리] [2] 2765
609 PECVD와 RIE의 경계에 대해 [DC bias 형성 판단] [1] 2041
608 전자 온도 구하기 [쉬스 전압, 스퍼터링 효과] [1] file 1609
607 공정 진행 중 의도적인 섭동 효과에 대해서 질문 드립니다. [Rise rate] [1] 515
606 CVD 공정에서의 self bias [이차 전자 생성, 입사 이온 에너지 분포] [1] 3910
605 PP & PET 친수성과 접착성 유지 질문입니다. [소수/친수성 조절 연구] [1] 3571
604 잔류시간 Residence Time에 대해 [표면 유속 정보, 유체해석 코드] [1] 1649
603 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 답변 정말 감사합니다! 2061
» ESC Polymer cracking 제거를 위한 ISD 공정 문의 1754
601 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..? [Chamber impedance] [2] 1440
600 CCP에서 접지된 전극에 기판을 놓았을 때 반응 [Self bias] [1] 1396
599 Edge ring과 플라즈마 밀도 균일성 [플라즈마 생성 분포와 sheath 전기장] [1] 2378
598 Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련 [Sheath 전위 형성] [3] 3771
597 매칭시 Shunt와 Series 값 [RF 전원 전력 전달 및 Load/Tune 계산] [1] 2708
596 RF Power와 균일도 연관성 질문드립니다 [고주파 플라즈마 반응 특성] [2] 4275
595 구 대칭으로 편광된 전자기파를 조사할 때에 대한 질문입니다. [초고밀도 플라즈마] [1] file 423
594 CCP에서 전극에 쌓이는 막질에 의한 Capacitance 변화가 궁금합니다. [플라즈마 특성변화와 SH impedance 변화] [1] 2713

Boards


XE Login