Plasma in general 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 답변 정말 감사합니다!
2021.06.04 09:40
안녕하세요. 얼마전 특정공정 진행 시 특정 step을 진행하는 경우에만 간헐적으로 60Mhz Ref 및 Bias Voltage 튐 현상 관련하여
질문글을 올렸던 엔지니어 입니다.
먼저 좋은 답변을 달아주셔서 정말 감사합니다.
우선 60Mhz 동축케이블 길이조절은 해당 장비사의 Part가 정해져있어서 길이조절을 통한 Test가 어려운 상황입니다
나중에 한번 내용 참고하여 Action item으로 제시해봐야겠네요.
외에 우선 FDC를 봤을때 Mathcer TAP(공정 Step 별 고정 TAP값 사용)은 특이사항이 없었습니다.
60Mhz Requency의 경우 정상진행한 Slot들 Data에비해 산포가 불량한 점은 있었습니다.
제가 생각한 가설은 우선 Plasma가 생성되게되면 일정한 Ground가 유지되어야 Plasma 및 Bias Power도 균일하게 유지가 가능할 것이라고
생각이 됐고 의심이 가는 부분은 TOP Electrode의 식각 상태입니다.
해당 part가 RF Time 경시에 따라 식가이되면 표면이 매끄러운 초기상태에 비하여 식각이 진행되 상당히 불균일한 표면을 가지게 되는데
이러한점이 Electron의 Ground에 영향을 줘서 임피던스가 변하는게 아닐까 추정이 되는데
제가 생각하는 부분에서 그럴 가능성이 있는지 잘 모르겠습니다...
이 외에도 Confinement Ring의 좌우 Balance 불량으로 인한 Plasma Unconfine이 발생할 가능성도 염두에 두고 있습니다.
현상이 간헐적으로 발생하고 있어 Action한 사항들 중 정확한 원인을 찾기 어려우나 해당 문제가 해결될 경우 다시 한 번 글을 올리도록 하겠습니다.
댓글 0
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] | 76980 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20332 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57254 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68801 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92795 |
401 | Load position 관련 질문 드립니다. [1] | 2464 |
400 | 안녕하세요. 교수님 ICP관련하여 문의드립니다. [2] | 2498 |
399 | [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] | 2520 |
398 | 플라즈마 방전을 위한 RF Power 공급시점에서의 반사파에 관해서 질문드립니다. [2] | 2523 |
397 | Si Wafer Broken [2] | 2550 |
396 | 질문있습니다. [1] | 2587 |
395 | 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] | 2591 |
394 | 안녕하십니까 파워업체 연구원 입니다. (챔버쪽 임피던스 검출) [1] | 2594 |
393 | 수소 플라즈마 관련해서 질문이 있습니다. [3] | 2670 |
392 | RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] | 2677 |
391 | 플라즈마 밀도 관련 문의 드립니다. [1] | 2696 |
390 | PR wafer seasoning [1] | 2707 |
389 | 플라즈마 압력에 대하여 [1] | 2737 |
388 | PE 모드와 RIE 모드에서 쉬스 구역에 대한 질문 [1] | 2804 |
387 | 임피던스 매칭회로 [1] | 2832 |
386 | Edge ring 없이 ESC를 구현 가능한지 궁금해서 여쭤봅니다. [2] | 2841 |
385 | [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] | 2842 |
384 | HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? | 2892 |
383 | VI sensor를 활용한 진단 방법 [2] | 2901 |
382 | 고온의 플라즈마와 저온의 플라즈마의 차이 [1] | 2916 |