Sheath LF Power에의한 Ion Bombardment

2021.06.24 22:36

PEOX 조회 수:339

안녕하십니까 교수님!!.

가입없이 게시판으로 많은 가르침을 받아가다가 이제서야 질문이 있어 가입후 글을 쓰게 되었습니다.

 

PECVD에서..

HF는 electron 온도 증가로 인한 plasma density 향상

 

LF POWER의 증가는 ion bombardment 를 증가시켜 박막이 더 dense 해져 stress가 더 compressive쪽으로 간다라고 이해하는게 맞는 걸까요? 

density가 높아지는데 compressive한 stress를 가진다고 하는 매커니즘이 잘 이해가 되질 않습니다.

(density가 높으면 (더 빽빽하게 증착되면) 밀려서 사이드쪽으로 늘어날려고 해서 compressive 스트레스를 가진다라고 혼자 이해했는데 맞는건지요.

 

막질의 density가 올라가면 compressive한 스트레스를 가지는게 항상 그런건지

(원래 Tensile한 막질이더라도 LF power 증가하면 Compressive한 방향으로 바뀌나요?)

 

아니면 막질마다 그 효과가 다른건지 궁금합니다. 

 

 

 

추가로 HF영역에서는 frequency가 높으니 유효질량이 작고 mobility가 빠른 electron에 에너지를 더 가해주기 쉽고 

반대로 LF영역에서는  frequency가 낮으니 상대적으로 질량이 크고 느린 ion에 에너지를 가해주기 쉽다고 이해하는게 맞는걸까요?

 

 

 

질문자체에 잘 못된 점이 있다면 바로 잡아주시면 감사하겠습니다!.  

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [53] 1150
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 870
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 49368
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 59382
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [1] 73893
615 플라즈마를 통한 정전기 제거관련. [1] 175
614 RF 케이블 발열 현상관련 문의 드립니다. [1] 284
613 CVD (CCP) 공정의 Chamber seasoning과 플라즈마 밀도 [1] 364
612 라디컬의 재결합 방지 [1] 195
» LF Power에의한 Ion Bombardment [1] 339
610 PECVD와 RIE의 경계에 대해 [1] 408
609 전자 온도 구하기 [1] file 304
608 공정 진행 중 의도적인 섭동 효과에 대해서 질문 드립니다. [1] 106
607 CVD 공정에서의 self bias [1] 430
606 PP & PET 친수성과 접착성 유지 질문입니다. [1] 1899
605 잔류시간 Residence Time에 대해 [1] 157
604 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 답변 정말 감사합니다! 1334
603 ESC Polymer cracking 제거를 위한 ISD 공정 문의 157
602 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..? [2] 287
601 CCP에서 접지된 전극에 기판을 놓았을 때 반응 [1] 212
600 Edge ring과 플라즈마 밀도 균일성 [1] 323
599 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 354
598 매칭시 Shunt와 Series 값 [1] 322
597 RF Power와 균일도 연관성 질문드립니다. [2] 480
596 구 대칭으로 편광된 전자기파를 조사할 때에 대한 질문입니다. [1] file 89

Boards


XE Login