Sheath LF Power에의한 Ion Bombardment

2021.06.24 22:36

PEOX 조회 수:1517

안녕하십니까 교수님!!.

가입없이 게시판으로 많은 가르침을 받아가다가 이제서야 질문이 있어 가입후 글을 쓰게 되었습니다.

 

PECVD에서..

HF는 electron 온도 증가로 인한 plasma density 향상

 

LF POWER의 증가는 ion bombardment 를 증가시켜 박막이 더 dense 해져 stress가 더 compressive쪽으로 간다라고 이해하는게 맞는 걸까요? 

density가 높아지는데 compressive한 stress를 가진다고 하는 매커니즘이 잘 이해가 되질 않습니다.

(density가 높으면 (더 빽빽하게 증착되면) 밀려서 사이드쪽으로 늘어날려고 해서 compressive 스트레스를 가진다라고 혼자 이해했는데 맞는건지요.

 

막질의 density가 올라가면 compressive한 스트레스를 가지는게 항상 그런건지

(원래 Tensile한 막질이더라도 LF power 증가하면 Compressive한 방향으로 바뀌나요?)

 

아니면 막질마다 그 효과가 다른건지 궁금합니다. 

 

 

 

추가로 HF영역에서는 frequency가 높으니 유효질량이 작고 mobility가 빠른 electron에 에너지를 더 가해주기 쉽고 

반대로 LF영역에서는  frequency가 낮으니 상대적으로 질량이 크고 느린 ion에 에너지를 가해주기 쉽다고 이해하는게 맞는걸까요?

 

 

 

질문자체에 잘 못된 점이 있다면 바로 잡아주시면 감사하겠습니다!.  

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [220] 75425
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 19161
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 56479
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 67556
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 89363
628 ESC 표면 온도랑 식각률의 차이가 어떤 관계로 있는걸까요?? [1] 1591
627 ICP와 CCP는 단순히 플라즈마를 생서하는 방법인가요? [1] 8147
626 CCP 구조가 ICP 구조보다 Arcing 발생에 더 취약한가요? [3] 3186
625 ESC Dechuck과 관련하여 궁금한점이 있어 문의를 드립니다. [1] 14056
624 CVD 막질의 성질에 대해 질문드립니다. [1] 1113
623 전자 온도에 대한 질문이 있습니다. [1] 908
622 RF 전류가 흐르는 Shower head를 TC로 온도 측정 할 때 [1] 732
621 CCP plasma에서 gap과 Pressure간의 상관관계 [1] 2006
620 데포 중 RF VDC DROP 현상 [1] 1426
619 OES 분석 관련해서 질문드립니다. [1] 1084
618 CF3의 wavelength가 궁금해서 질문드립니다. [1] 598
617 anode sheath 질문드립니다. [1] 785
616 안녕하세요. Plasma etch rate에 관하여 질문이 있습니다. [1] 636
615 플라즈마를 통한 정전기 제거관련. [1] 602
614 RF 케이블 발열 현상관련 문의 드립니다. 1345
613 CVD (CCP) 공정의 Chamber seasoning과 플라즈마 밀도 [1] 1585
612 라디컬의 재결합 방지 [1] 652
» LF Power에의한 Ion Bombardment [2] 1517
610 PECVD와 RIE의 경계에 대해 [1] 1252
609 전자 온도 구하기 [1] file 909
쓰기
태그

Boards

XE Login