안녕하십니까 교수님 항상 성심성의것 답변해 주신것 감사합니다.

 

저는 CCP plasma를 다루는 반도체 장비 회사를 다니고 있는 엔지니어 입니다.

 

다름이 아니라 여러가지 조건으로 Split test를 하는 와중에 샤워헤드와 척 사이의 갭을 늘렸더니 

 

플라즈마가 켜졌을 때 Matcher의 Vrms가 초반 몇 초 동안 급격히 상승하는 현상이 발생했습니다.

 

운이 없었다면 아킹이 발생하고 웨이퍼가 깨졌을 수도 있었던 상황이라 생각합니다.

 

 

이런 상황에서 pressure를 낮췄을 때는 Gap을 늘려도 상대적으로 안정해지는 경향이 파악 되었습니다.

 

왜 Gap이 커지면 불안정해지고, 여기서 Pressure를 낮추면 Gap이 커져도 상대적으로 안정해 지는 걸까요??

 

감사합니다~!

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [330] 102068
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24542
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61187
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73235
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105448
713 RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메커니즘에 대해 질문하고 싶습니다. [플라즈마-화학-표면 반응 모델] [1] 616
712 corona model에 대한 질문입니다. [준중성과 저압플라즈마] [1] 329
711 플라즈마 제균 탈취 가능 여부 [대기압 환경 플라즈마와 라디컬 분포] [1] 458
710 plasma 공정 중 색변화 [플라즈마 진단과 분광학] [1] 1285
709 ISD OES파형 관련하여 질문드립니다. [SiC 식각과 Ring 교체 주기 및 모니터링 방법] [1] 818
708 PEALD장비에 관해서 질문드리고 싶습니다. [장비 세정 및 관리 규칙] [1] 814
707 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [RF 접지 및 체결, 결합부분 교체] [1] 1132
706 E-field plasma simulation correlating with film growth profile [플라즈마 확산과 밀도 분포] [1] 555
705 SI 표면에 Ar Plasma Etching 하면 안되는 이유 [표면 전처리] [1] 1758
704 OES를 통한 공정 개선사례가 있는지 궁금합니다. [플라즈마의 분포와 공정 진단] [1] 939
703 self bias [쉬스와 표면 전위] [1] 806
702 Self bias 내용 질문입니다. [쉬스와 표면 전위] [1] 1249
701 경전척의 chucking voltage 범위가 궁금합니다. [1] 1074
700 챔버 시즈닝에 대한 플라즈마의 영향성 [플라즈마 생성, Plasma collision reaction] [1] 845
699 PECVD Cleaning에서 Ar Gas의 역활 [Ar plasma, Ar metastable] [1] 1850
698 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [Plasma Cleaning] [1] 603
697 ICP lower power 와 RF bias [Self bias, Floating sheath] [1] 2002
696 CCP RIE 플라즈마 밀도 [Global model, Plasma generation, Ionization collision] [1] 884
695 실리콘 수지 코팅 Tool에 Plasma 클리닝 시 코팅 제거 유/무 [대기압 플라즈마, highly collisional plasma] [1] 407
694 RF 전압인가 시 LF와 HF 에서의 Sheath 비교 [Plasma sheath, Stochastic heating] [1] 1426

Boards


XE Login