건식식각 방법에 크게 이온을 이용하는 스퍼터 식각과 라디컬을 이용하는 화학적 식각 그리고 이온, 라디칼 모두를 이용하는 RIE가 있는데 ICP와 CCP로 생성한 플라즈마를 이용해서 물리적,화학적,반응 이온성 식각을 진행하는것으로 이해하면 되는건가요?? 

차이점은 어떠한 가스를 넣느냐에 따라 물리적 식각만 이루어질수도 있고, 화학적 식각만 이루어질수도 있고, RIE식각만 이루어질 수도 있는건가요??

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [330] 102054
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24539
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61185
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73232
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105444
713 RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메커니즘에 대해 질문하고 싶습니다. [플라즈마-화학-표면 반응 모델] [1] 616
712 corona model에 대한 질문입니다. [준중성과 저압플라즈마] [1] 329
711 플라즈마 제균 탈취 가능 여부 [대기압 환경 플라즈마와 라디컬 분포] [1] 458
710 plasma 공정 중 색변화 [플라즈마 진단과 분광학] [1] 1277
709 ISD OES파형 관련하여 질문드립니다. [SiC 식각과 Ring 교체 주기 및 모니터링 방법] [1] 818
708 PEALD장비에 관해서 질문드리고 싶습니다. [장비 세정 및 관리 규칙] [1] 814
707 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [RF 접지 및 체결, 결합부분 교체] [1] 1131
706 E-field plasma simulation correlating with film growth profile [플라즈마 확산과 밀도 분포] [1] 555
705 SI 표면에 Ar Plasma Etching 하면 안되는 이유 [표면 전처리] [1] 1757
704 OES를 통한 공정 개선사례가 있는지 궁금합니다. [플라즈마의 분포와 공정 진단] [1] 939
703 self bias [쉬스와 표면 전위] [1] 805
702 Self bias 내용 질문입니다. [쉬스와 표면 전위] [1] 1249
701 경전척의 chucking voltage 범위가 궁금합니다. [1] 1074
700 챔버 시즈닝에 대한 플라즈마의 영향성 [플라즈마 생성, Plasma collision reaction] [1] 845
699 PECVD Cleaning에서 Ar Gas의 역활 [Ar plasma, Ar metastable] [1] 1849
698 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [Plasma Cleaning] [1] 603
697 ICP lower power 와 RF bias [Self bias, Floating sheath] [1] 2002
696 CCP RIE 플라즈마 밀도 [Global model, Plasma generation, Ionization collision] [1] 884
695 실리콘 수지 코팅 Tool에 Plasma 클리닝 시 코팅 제거 유/무 [대기압 플라즈마, highly collisional plasma] [1] 407
694 RF 전압인가 시 LF와 HF 에서의 Sheath 비교 [Plasma sheath, Stochastic heating] [1] 1426

Boards


XE Login