안녕하세요.

반도체 제조회사에 재직중인 엔지니어입니다.

 

텅스텐(W) Etch 을 하고자 하는데,

SF6를 Main Gas로 사용하고자 하는데,

SF6이외에 O2,N2,Ar 을 혼합하여 사용한 논문을 찾을 수 있었습니다.

텅스텐 하부에는 TiN Silicide Layer가 있는데

해당 TiN Silicide 에 Damage를 적게 주고 Loading Effect 가 적은 조건에서 Etch을 하면서

Etchrate 를 높이기 위해서는

 

SF6+N2 / SF6+Ar 중에 어떤 Gas 조건이 더 효과가 있는지 궁금합니다.

추가로 식각시 어떤 차이점이 있는지 알려주시면 감사하겠습니다.

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [62] 1605
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 2550
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 49537
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 59746
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [1] 75861
643 Bias 관련 질문 드립니다. [1] 79
642 Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. 2463
641 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 62
640 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 258
639 임피던스 매칭 및 플라즈마 진단 [1] 206
638 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 2514
637 RF 전압과 압력의 영향? [1] 241
636 Plasma Cleaning 관련 문의 [1] 176
635 Uniformity 관련하여 문의드립니다. [1] 237
634 standing wave effect에 대한 질문이 있습니다. [1] 179
633 ICP 대기압 플라즈마 분석 [1] 163
632 RF 주파수와 공정 Chamber 크기의 상관관계 [1] 269
631 IMPEDANCE MATCHING PATH에서 S/H ~ MATCHER 간 전력전송 방법들에 대해 문의드립니다. [2] 179
630 안녕하세요 DBD 플라즈마 소독 관련질문입니다. [1] 124
» 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] 195
628 ESC 표면 온도랑 식각률의 차이가 어떤 관계로 있는걸까요?? [1] 364
627 ICP와 CCP는 단순히 플라즈마를 생서하는 방법인가요? [1] 3154
626 CCP 구조가 ICP 구조보다 Arcing 발생에 더 취약한가요? [2] 1851
625 ESC Dechuck과 관련하여 궁금한점이 있어 문의를 드립니다. [1] 430
624 CVD 막질의 성질에 대해 질문드립니다. [1] 338

Boards


XE Login