안녕하세요 교수님. 항상 친절한 답변 감사드립니다.

 

회사를 다니면서 공부를 하다보니 제가 부족한 부분이 많아 자꾸 찾아뵙게 되네요.

 

현재 염근영 교수님의 '플라즈마 식각기술' 이라는 책을 공부하고 있는데요.

 

읽다보니 간단한것 같은데 이유를 모르겠는게 있어서 문의 드립니다.

 

Pressure가 공정에 미치는 영향 중에 압력이 낮아지면 rf voltage가 높아진다고 나와있는데 그 이유가 궁금합니다.

 

그리고 이 전압이라함은 플라즈마와 전극 사이의 전압을 말하는건가요?

 

제가 전기쪽으로는 지식이 많이 부족해서 헷갈립니다 ㅜㅜ 

 

감사합니다!

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [110] 4863
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16200
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51246
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 63740
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [2] 83486
656 Co-relation between RF Forward power and Vpp [2] 292
655 RF Antena와 Matcher 間 상관관계 문의드립니다. [2] 492
654 연속 Plasma시 예상되는 문제와 횟수를 제한할 경우의 판단 기준 [1] file 319
653 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] 437
652 Matcher 구성에 따른 챔버 임피던스 영향에 대해 문의드립니다. [2] 672
651 플라즈마 세정 장비 (CCP구조)에서 자재 로딩 수에 따른 플라즈마 효과 및 Discolor [1] file 411
650 doping type에 따른 ER 차이 [1] 273
649 ICP Dry Etch 진행시 정전기 발생에 관한 질문입니다. [1] 401
648 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 339
647 MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [1] 449
646 Tungsten 표면 Contamination 제거(실명재등록) [1] 657
645 plasma 형성 관계 [1] 580
644 RF matcher와 particle 관계 [2] 856
643 Bias 관련 질문 드립니다. [1] 2593
642 Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. [1] 3938
641 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] 421
640 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [1] 578
639 임피던스 매칭 및 플라즈마 진단 [1] 621
638 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3473
» RF 전압과 압력의 영향? [1] 673

Boards


XE Login