ICP ICP Dry Etch 진행시 정전기 발생에 관한 질문입니다.

2022.02.17 17:59

김베컴 조회 수:843

현재 제조업 개발 엔지니어로 근무중인데 Dry Etch에 관한 이론적인 접근이 필요한것 같아서 질문드립니다.

 

현재 공정중 정전기에관한이슈가 커서 완화 방안에 대한 검토를 하고있습니다.

 

무기막(Sio2, SiNx) Etch를 진행하고있고, Gas는 CF4/O2 약 1:1비율로 사용하고있습니다.

 

1. Source , Bia Power 하향

  → Plasma 생성 및 전위차가 낮아져 정전기 발생 적어짐 기대(But Etch Time이 길어짐)

2. CF4 유량비 상향

  → O2가 Rich하면 정전기가 많이 발생한다고하는데 메커니즘을 잘 모르겠습니다

     (But CF4 상향시 이방성 Etch증가로 Taper 안좋아짐)

3. 압력에 대한영향성?

  → 이부분에 대해서는 영향성이 있는지 문의드립니다 상향을 하면 개선이 될수도있다고는 하는데..

4. 제전 Step추가? Etch 중간에 제전을 넣으면 효과가 있을는지 궁금합니다.

 

이론적으로 많이 부족합니다. 많은 도움 주시면 감사하겠습니다.

 

감사합니다.

 

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [278] 76893
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20286
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57204
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68758
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92717
799 공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [1] 14
798 스터퍼링시 기판 온도 계산에 대해 질문드립니다! [1] 14
797 C2H2 플라즈마코팅시 가스 원인과 대책 17
796 Druyvesteyn Distribution 23
795 DBD 방전 방식의 저온 플라즈마 관련해서 3가지 질문 드립니다. [1] 30
794 플라즈마 식각 커스핑 식각량 35
793 Si 와 SiO의 선택적 식각 관련 문의입니다. 62
792 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] 65
791 Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] 71
790 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] 74
789 플라즈마 설비에 대한 질문 75
788 Showerhead와 Heater간 간격에 따른 RPC 효율성 [1] 77
787 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 82
786 새삼스럽지만 챔버 내에 전류의 정의를 여쭤보고싶습니다. [1] 83
785 진공 챔버에서 Plasma Off시 Particle의 wafer 표면 충돌 속도 [1] 88
784 RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] 95
783 RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [1] 98
782 RF generator의 AMP 종류 질문입니다. [1] 121
781 반사파에 의한 micro arc 질문 [2] 123
780 Impedance I 값을 결정 짓는 요소 관련 질문 [1] 125
쓰기
태그

Boards

XE Login