안녕하십니까, 반도체분야에서 공부하고 있는 비전공자 학생입니다. 

 

최근 RIE 장비로 Etching test를 진행 중 궁금한것이 생겨서 질문드립니다.

RIE 장비에서 Etching rate에 크게 기여하는 부분이 dc-bias라고 알고 있습니다. 

가스 유량, 압력, 그리고 power 심지어 reflected power 마저도 동일한데 dc-bias만 대략 70V나오던 것이 50V로 줄어드는 현상이 있었습니다. 혹시 이러한 간간히 일어나는 건가 싶어 질문남겨드립니다.

 

감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [112] 4887
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16225
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51250
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 63745
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [2] 83511
658 플라즈마 세정처리한 PCB, Lead Frame 재활용 방법 [1] 203
657 etch defect 관련 질문드립니다 [1] 405
656 Co-relation between RF Forward power and Vpp [2] 292
655 RF Antena와 Matcher 間 상관관계 문의드립니다. [2] 495
654 연속 Plasma시 예상되는 문제와 횟수를 제한할 경우의 판단 기준 [1] file 319
» RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] 437
652 Matcher 구성에 따른 챔버 임피던스 영향에 대해 문의드립니다. [2] 673
651 플라즈마 세정 장비 (CCP구조)에서 자재 로딩 수에 따른 플라즈마 효과 및 Discolor [1] file 412
650 doping type에 따른 ER 차이 [1] 274
649 ICP Dry Etch 진행시 정전기 발생에 관한 질문입니다. [1] 402
648 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 343
647 MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [1] 451
646 Tungsten 표면 Contamination 제거(실명재등록) [1] 660
645 plasma 형성 관계 [1] 587
644 RF matcher와 particle 관계 [2] 862
643 Bias 관련 질문 드립니다. [1] 2594
642 Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. [1] 3941
641 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] 424
640 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [1] 578
639 임피던스 매칭 및 플라즈마 진단 [1] 623

Boards


XE Login