안녕하세요.

현재, 플라즈마 장비를 이용하여 표면구조 처리를 하고자 하는 대학원생 조원희입니다.

 

다름이 아니라, 플라즈마를 주로 전공하는 과 가 아니기 때문에, 현재 연구실에 있는 플라즈마 샘플 위치에 헷갈림이 좀 있습니다.

오래전 저희 연구실에서는 O2와 Ar을 이용하여, 표면을 친수성으로 만들거나 고분자에 Ar/O2를 혼합하여 etching을 하였었는데, 경험 하신분들이 다 졸업을 하시는 바람에, 여기에 도움을 청하게 됐습니다. 

제가 궁금한 점은,

 

1. O2만을 이용하여 표면을 친수성으로 만들때의 표면 위치와

2. Ar을 이용하여 etching을 할때의 표면 위치가 

 

두 경우에 다른지가 궁금합니다.

 

타겟으로 하는 표면을 각각의 경우에, 챔버 내부의 RF Power와 Matching box가 연결되어 있는 부분에 두어야 하는지, 그 반대에 두어야 하는지 혹시 도와주실 분이 계신가요..?

 

참고로 샘플은 PDMS (고분자) 입니다. 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [160] 73074
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 17640
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 55521
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 65724
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 86101
707 E-field plasma simulation correlating with film growth profile [1] 14
706 Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] 46
705 OES를 통한 공정 개선 사례가 있는지 궁금합니다. [1] 53
704 실리콘 수지 코팅 Tool에 Plasma 클리닝 시 코팅 제거 유/무 [1] 67
703 Self bias 내용 질문입니다. [1] 89
702 정전척의 chucking voltage 범위가 궁금합니다. [1] 104
701 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [1] 120
700 챔버 시즈닝에 대한 플라즈마의 영향성 [1] 120
699 self bias [1] 124
698 PECVD Cleaning에서 Ar Gas의 역활 [1] 136
697 구 대칭으로 편광된 전자기파를 조사할 때에 대한 질문입니다. [1] file 181
696 AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 209
695 기판표면 번개모양 불량발생 [1] 211
694 CCP RIE 플라즈마 밀도 [1] 222
693 plasma modeling 관련 질문 [1] 238
692 공정 진행 중 의도적인 섭동 효과에 대해서 질문 드립니다. [1] 247
691 ESC DC 전극 Damping 저항 254
690 plasma striation 관련 문의 [1] file 266
689 Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time 거동 [1] file 268
688 스퍼터링 Dep. 두께 감소 관련 문의사항 [1] 272

Boards


XE Login