RPSC(Remote Plasma Source Cleaning) 시 Pressure, Throttle Valve Position 관계에 대해 질문드립니다.

 

■ 목적

: PECVD Chamber를 주기적으로 SiNx 박막을 RPSC(NF3 사용)로 세정을 하는데, 세정 효율을 증가(=세정 시간 단축)시키고자 합니다.

 

■ 현상

: 저희 설비는 ① 압력을 고정(=Throttle Valve가 움직임)시키거나 ② Throttle Valve를 고정(=압력 변함)시키는 두 가지 방법 중 하나를 택합니다. 기존에는 Throttle Valve를 절반 정도 오픈되게 고정하고 RPSC를 진행합니다. 이때, RPSC 시간에 따른 압력 곡선은 하기와 같습니다.

제목 없음.png

반응식 : NF3 + SiNx → SiF4

 

RPSC 초기에는 SiNx + NF3이 폭발적으로 일어나는 초기에는 압력이 증가합니다. 이는 NF3와 SiNx 간 반응으로 SiF4가 형성되는 화학반응이 부피가 팽창하는 것으로 보입니다.

 

상기 곡선에서 Throttle Valve는 상시 Half Open입니다.

 

다음은 세정 효율을 증가(=세정 시간 단축)시키기 위한 세 가지 방안입니다.

 

 

■ 세정 효율 개선 방안(세정 시간 단축)

 

① RPSC 초기 Throttle Valve Full Open → RPSC 후기 Throttle Valve Half Open

RPSC 초기엔 폭발적인 반응으로 SiF4가 형성되는 데, 압력이 높아진다는 건 생성물(SiF4) 농도가 높음을 의미한다. 따라서 반응 초기에 Throttle Valve를 Full Open하여 SiF4를 배출시키면 NF3에 의한 세정 작용이 활발해질 것이다.

 

② RPSC 초기 Throttle Valve Half Open → RPSC 후기 Throttle Valve Full Open

RPSC 초기부터 Throttle Valve를 Full Open하면 생성물(SiF4)가 빠르게 제거되겠지만, 반응물(NF3)의 챔버 내 잔류시간이 줄어드므로 되려 효율이 낮아질 수 있다. 다만 압력이 Peak가 되는 시점에서 생성물(SiF4)의 농도가 높은 건 좋지 않으므로, RPSC 후기부터 Throttle Valve를 Full Open하여 RPSC 후기의 반응물(NF3) 농도를 높여 세정 효율을 높인다.

 

③ Throttle Valve를 고정하지 않고 압력을 고정

 

상기처럼 세 가지 방안 중 고민하고 있습니다. 세 가지 방안 중에서 적절해보이는 방안이나 그 밖에 제안해주실 수 있는 방안이 있으시면 조언 부탁드립니다.

 

항상 자세한 답변에 감사드립니다.

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [322] 87361
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 22736
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 59436
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 71230
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 98710
688 O2 플라즈마 사용에 대한 질문을 드립니다. 849
687 플라즈마 주파수 예측관련 질문드립니다 [Global model과 Balance equation] [1] 1302
686 Ta deposition시 DC Source Sputtreing 2434
685 전자밀도 크기에 대하여 질문드립니다. (Ar, O2, N2 가스) [Plasma density와 Balance equation] [1] 1536
684 OES를 이용한 Gas Species 정량적 분석 방법 [수소, Ar 단원자 진단] [1] 1048
683 sticking coefficient 관련 질문입니다. [HAR, LF bias] [1] 1288
682 RF Sputtering Target Issue [Sputtering] [2] file 877
681 OES 파장 관련하여 질문 드립니다. [데이터+플라즈마광학 모델] [1] 816
680 PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [PECVD와 PACVD] [1] 2386
679 plasma striation 관련 문의 [Plasma striation] [1] file 740
678 Chamber impedance 범위에 대해 질문드립니다. 670
677 주파수 변화와 Plasma 온도 연관성 [Plasma heating] [1] 833
676 Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time [TVP(Thorottle Valve Position)] [1] file 821
» RPSC 시 Pressure와 Throttle Valve Position의 관계 [Plasma cleaning] [1] file 1527
674 Plasma Ignition 시 Gas 사용에 대한 궁금증 요청드립니다. [Pachen's law와 Ar Gas] [1] 1608
673 Plasma Arching [Plasma property] [1] 1298
672 Polymer Temp Etch [이온 입사 에너지] [1] 956
671 CCP Plasma 해석 관련 문의 [Diffusion] [1] file 1257
670 AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 692
669 플라즈마 관련 교육 [플라즈마 교육자료] [1] 1737

Boards


XE Login