안녕하세요. CCP TYPE의 Chamber에 관한 문의점이 있습니다.

 

CCP 방식의 Chamber에서 HF를 이용하여 Plasma를 생성할여 Deposition을 진행하는 공정의 경우 Wafer가 안착되는 Plate의 온도가 Shower Head 보다 일반적으로 높은 조건을 사용하게 됩니다.

이때 HF의 주파수를 기존의 2배로 변경하게되면 Plasma의 밀도가 증가할 것으로 생각되며 다양한 변화가 발생할 것으로 생각됩니다.

그럼 온도 측면에서 Shower Head에 열전달 변화가 발생할까요?

저압에서 진행하는 공정 특성상 Plasma 온도변화가 Shower Head에 미치는 영향은 미비할것으로 생각되는데 주파수 변화와 Plasma 온도와 관련된 논문을 찾을 수 없어서 문의드립니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [143] 5815
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 17218
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 53084
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64491
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 85106
678 Chamber impedance 범위에 대해 질문드립니다. 271
» 주파수 변화와 Plasma 온도 연관성 [1] 259
676 Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time 거동 [1] file 216
675 RPSC 시 Pressure와 Throttle Valve Position의 관계 [1] file 237
674 Plasma Ignition 시 Gas 사용에 대한 궁금증 요청드립니다. [1] 356
673 Plasma Arching [1] 430
672 Polymer Temp Etch [1] 222
671 CCP Plasma 해석 관련 문의 [1] file 455
670 AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 182
669 플라즈마 관련 교육 [1] 713
668 반도체 관련 플라즈마 실험 [1] 334
667 스퍼터링 Dep. 두께 감소 관련 문의사항 [1] 233
666 방전수 활성종 중 과산화수소 측정에 관련하여 질문드립니다. [1] 124
665 Dry Chamber VPP 변동 관련 질문입니다 [1] 401
664 RF 파워서플라이 매칭 문제 454
663 CCP 설비에서 Vdc, Vpp과 Power에 대해 문의드립니다. [1] file 1229
662 RF Power 인가 시 Gas Ramping Flow 이유 [1] 688
661 플라즈마 진단 공부중 질문 [1] 354
660 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [1] 431
659 N2 / N2O Gas 사용시 Plamsa 차이점 [1] 754

Boards


XE Login