Process Ta deposition시 DC Source Sputtreing

2022.11.19 05:11

TW 조회 수:2362

안녕하세요 

 

현재 반도체관련 회사에 재직중입니다. 

다름아니라  Ta material을 Deposition하는데 PVD에서는 DC Soruce sputtering을 이용해서 사용하는데 

RF source sputtering을 하게되면 어떤 단점이 있고 장점이 있을까요?

 

아님 Ta material에 대한 제한이 있는것 일까요? 

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [278] 76888
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20286
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57204
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68758
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92716
399 Load position 관련 질문 드립니다. [1] 2456
398 RF/LF에 따른 CVD 막질 UNIFORMITY [1] 2452
397 plasma etching을 관련 문의드립니다. [1] 2437
396 RPS를 이용한 SIO2 에칭 [1] 2402
395 안녕하세요? 임피던스 매칭관련 질문드립니다. [1] 2367
394 Ar과 O2 plasma source에 따른 ignition condition에 대하여 질문 있습니다. [1] 2367
393 CCP에서 전극에 쌓이는 막질에 의한 Capacitance 변화가 궁금합니다 [1] 2365
» Ta deposition시 DC Source Sputtreing 2362
391 RF 주파수와 공정 Chamber 크기의 상관관계 [1] 2357
390 임피던스 실수부에 대해 궁금한 점이 있습니다. [4] 2357
389 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 2357
388 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 2345
387 PRECOATING 공정에서 SHOWERHEAD <-> STAGE HEATER 간 GAP 과 DEPO 막질의 THK 와의 연관성.... [1] 2345
386 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] 2342
385 교수님 안녕하세요, icp 관련 질문이 있습니다. [2] 2340
384 플라즈마 세라믹코팅후 붉은 이유는? 2336
383 Wafer particle 성분 분석 [1] 2335
382 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 2332
381 CCP plasma에서 gap과 Pressure간의 상관관계 [1] 2301
380 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 2299
쓰기
태그

Boards

XE Login