Process Ta deposition시 DC Source Sputtreing

2022.11.19 05:11

TW 조회 수:3129

안녕하세요 

 

현재 반도체관련 회사에 재직중입니다. 

다름아니라  Ta material을 Deposition하는데 PVD에서는 DC Soruce sputtering을 이용해서 사용하는데 

RF source sputtering을 하게되면 어떤 단점이 있고 장점이 있을까요?

 

아님 Ta material에 대한 제한이 있는것 일까요? 

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [338] 226481
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 65481
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 102509
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 114608
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 194170
698 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [Plasma Cleaning] [1] 2848
697 ICP lower power 와 RF bias [Self bias, Floating sheath] [1] 4603
696 CCP RIE 플라즈마 밀도 [Global model, Plasma generation, Ionization collision] [1] 3404
695 실리콘 수지 코팅 Tool에 Plasma 클리닝 시 코팅 제거 유/무 [대기압 플라즈마, highly collisional plasma] [1] 2476
694 RF 전압인가 시 LF와 HF 에서의 Sheath 비교 [Plasma sheath, Stochastic heating] [1] 3924
693 기판표면 번개모양 불량발생 [Plasma charging] [1] 3488
692 전공수준에 따른 RF plasma 영향 관련 질문 [Ion beam source] [1] file 2644
691 OLED에서 SF6와 CF4를 사용하는 이유를 알고 싶습니다. [Etching] [1] 32759
690 plasma modeling 관련 질문 [Balance equation] [1] 2350
689 플라즈마 진단 OES 관련 질문 [OES와 atomic spectroscopy] [1] 4413
688 O2 플라즈마 사용에 대한 질문을 드립니다. 2057
687 플라즈마 주파수 예측관련 질문드립니다 [Global model과 Balance equation] [1] 3642
» Ta deposition시 DC Source Sputtreing 3129
685 전자밀도 크기에 대하여 질문드립니다. (Ar, O2, N2 가스) [Plasma density와 Balance equation] [1] 4969
684 OES를 이용한 Gas Species 정량적 분석 방법 [수소, Ar 단원자 진단] [1] 4522
683 sticking coefficient 관련 질문입니다. [HAR, LF bias] [1] 3496
682 RF Sputtering Target Issue [Sputtering] [2] file 3771
681 OES 파장 관련하여 질문 드립니다. [데이터+플라즈마광학 모델] [1] 4180
680 PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [PECVD와 PACVD] [1] 5237
679 plasma striation 관련 문의 [Plasma striation] [1] file 3222
쓰기
태그

Boards

XE Login