안녕하십니까 식각 관련 업무를 배우고 있는 엔지니어입니다. 알아본 바로는 LF일 때의 Sheath 영역이 HF일때보다 더 두껍다, 크다 라고 알고 있습니다. 이온의 이동성으로 생각해봤을 때, LF일 때가 HF일때 보다 이온이 반응할 수 있는 시간이 길고 이동이 더 가능하다. 즉, 이온의 밀집지역이 전극에서 더 멀어져있다, Sheath 영역이 더 두껍다 라고 이해했는데 이 생각이 맞는지 궁금합니다.

그리고 etch 진행시 LF power를 인가하면 Ion bombardment를 이용할 수 있다고 했는데, Sheath 영역이 더 두껍기 때문에 Ion을 끌어오기 더 용이해서라고 이해하면 되는지 궁금합니다. 답변주시면 감사하겠습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [330] 102037
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24528
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61176
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73222
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105416
833 Ar Plasma로 AlN Pedestal 표면에 AlFx desorption 가능 여부가 궁금합니다. [1] 105
832 PEALD 챔버 세정법 [1] 169
831 RF BIAS REDLECT POWER HUNTING 문제 [1] 205
830 RF ROD 연결부 부하로 인한 SHUNT, SERIES 열화 [2] file 273
829 HF와 LF중 LF REFLECT POWER가 커지는 현상에 대해서 도움이 필요합니다. [2] 361
828 III-V 반도체 에칭 공정 문의 [1] 484
827 CCP 장비 하부 전극 dc 펄스 전력 [1] 343
826 DC Arc Plasma Torch 관련 문의 [1] 302
825 Wafer 영역별 E/R 차이에 대한 질문 [Gas flow system vs E/R] [1] 467
824 동일한 RF방전챔버에서 화학종별 이온화율에 대한 질문 [1] 252
823 ESC 사용 공정에서 Dummy Wafer Chuck Force 에 대해서 궁급합니다 [1] 715
822 liquid plasma 공부 방향에 대해서 알고싶습니다. [1] 409
821 ICP 장비 TCP Reflect 발생 간 조언 부탁드립니다. [1] 457
820 RF플라즈마에서 quasineutral에 대해 궁금한게 있어 질문글 올립니다.[quasineutral] [1] file 541
819 챔버의 Plasma density 확인방법 문의드립니다. [플라즈마 모니터링, OES, LP] [1] 715
818 ICP/CCP 플라즈마 식각 공정 개발 [Plasma sheath 및 Plasma generation] [1] 872
817 HF PLASMA DEPOSITION 시 POWER에 따른 DEP RATE 변화 [장비 플라즈마, Rate constant] [1] 435
816 인가전압과 ESC의 관계 질문 [Floating sheath] [1] 559
815 Dielectric Etcher(CCP)에서 사용하는 주파수 [Plasma frequency 및 RF sheath] [2] 708
814 ICP에서 biasing 질문 [RF sheath와 self bias] [1] 640

Boards


XE Login