안녕하세요 ICP 식각 장비를 이용해 실험을 진행하고 있는 학부생입니다. 현재 제가 사용하는 ICP 장비에 RF upper power, RF lower power, RF bias [Vpk] (v) 라는 파라미터가 존재합니다. 제가 알고 있는 바로는 Upper power는 Coil에 걸리는 파워로 플라즈마 생성 용도라고 생각을 했고, lower power는 이온의 에너지, 충격을 이용하기 위한 용도라고 생각을 했습니다. 하지만 RF bias는 무슨 용도로 사용이 되는 것인지 궁금해서 질문을 드립니다.

또한 절연체 층을 식각할 때는 RF bias를 가하고, 메탈 층을 식각할 때는 RF bias를 가하지 않는데 어떤 이유인지 궁금합니다. 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [317] 82767
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 21988
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 58767
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 70399
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 96353
704 OES를 통한 공정 개선사례가 있는지 궁금합니다. [플라즈마의 분포와 공정 진단] [1] 761
703 self bias [쉬스와 표면 전위] [1] 636
702 Self bias 내용 질문입니다. [쉬스와 표면 전위] [1] 1027
701 경전척의 chucking voltage 범위가 궁금합니다. [1] 906
700 챔버 시즈닝에 대한 플라즈마의 영향성 [플라즈마 생성, Plasma collision reaction] [1] 715
699 PECVD Cleaning에서 Ar Gas의 역활 [Ar plasma, Ar metastable] [1] 1498
698 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [Plasma Cleaning] [1] 477
» ICP lower power 와 RF bias [Self bias, Floating sheath] [1] 1686
696 CCP RIE 플라즈마 밀도 [Global model, Plasma generation, Ionization collision] [1] 721
695 실리콘 수지 코팅 Tool에 Plasma 클리닝 시 코팅 제거 유/무 [대기압 플라즈마, highly collisional plasma] [1] 251
694 RF 전압인가 시 LF와 HF 에서의 Sheath 비교 [Plasma sheath, Stochastic heating] [1] 1122
693 기판표면 번개모양 불량발생 [Plasma charging] [1] 742
692 전공수준에 따른 RF plasma 영향 관련 질문 [Ion beam source] [1] file 717
691 OLED에서 SF6와 CF4를 사용하는 이유를 알고 싶습니다. [Etching] [1] 29300
690 plasma modeling 관련 질문 [Balance equation] [1] 457
689 플라즈마 진단 OES 관련 질문 [OES와 atomic spectroscopy] [1] 891
688 O2 플라즈마 사용에 대한 질문을 드립니다. 823
687 플라즈마 주파수 예측관련 질문드립니다 [Global model과 Balance equation] [1] 1243
686 Ta deposition시 DC Source Sputtreing 2416
685 전자밀도 크기에 대하여 질문드립니다. (Ar, O2, N2 가스) [Plasma density와 Balance equation] [1] 1400

Boards


XE Login