기초적인 질문이지만 답변 해주시면 정말 감사하겠습니다. 

 

1. 챔버 시즈닝을 SiO2로 했을때, 플라즈마를 인가하면 플라즈마의 영향으로 챔버시즈닝이 각 O2-와 Si4+로 분해가 일어날수있나요? 

 일어난다면 흔한일일까요 ?? 

 

2. 1번과 같은 관점에서 플라즈마 gas를 각각 N2 , H2 로 인가한다면, 제가 생각하기에는 수소원자가 질량이 낮으니 O를 떼어 낼 만한 힘이 없어서 N2 는 1과같은 일이 발생할수 있을거 같고, H2는 힘들것 같은데 어떤것이 맞는지 궁금합니다 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [322] 87713
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 22787
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 59502
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 71277
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 98886
709 ISD OES파형 관련하여 질문드립니다. [SiC 식각과 Ring 교체 주기 및 모니터링 방법] [1] 667
708 PEALD장비에 관해서 질문드리고 싶습니다. [장비 세정 및 관리 규칙] [1] 628
707 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [RF 접지 및 체결, 결합부분 교체] [1] 906
706 E-field plasma simulation correlating with film growth profile [플라즈마 확산과 밀도 분포] [1] 466
705 SI 표면에 Ar Plasma Etching 하면 안되는 이유 [표면 전처리] [1] 1558
704 OES를 통한 공정 개선사례가 있는지 궁금합니다. [플라즈마의 분포와 공정 진단] [1] 823
703 self bias [쉬스와 표면 전위] [1] 690
702 Self bias 내용 질문입니다. [쉬스와 표면 전위] [1] 1115
701 경전척의 chucking voltage 범위가 궁금합니다. [1] 961
» 챔버 시즈닝에 대한 플라즈마의 영향성 [플라즈마 생성, Plasma collision reaction] [1] 762
699 PECVD Cleaning에서 Ar Gas의 역활 [Ar plasma, Ar metastable] [1] 1650
698 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [Plasma Cleaning] [1] 519
697 ICP lower power 와 RF bias [Self bias, Floating sheath] [1] 1832
696 CCP RIE 플라즈마 밀도 [Global model, Plasma generation, Ionization collision] [1] 788
695 실리콘 수지 코팅 Tool에 Plasma 클리닝 시 코팅 제거 유/무 [대기압 플라즈마, highly collisional plasma] [1] 330
694 RF 전압인가 시 LF와 HF 에서의 Sheath 비교 [Plasma sheath, Stochastic heating] [1] 1244
693 기판표면 번개모양 불량발생 [Plasma charging] [1] 811
692 전공수준에 따른 RF plasma 영향 관련 질문 [Ion beam source] [1] file 761
691 OLED에서 SF6와 CF4를 사용하는 이유를 알고 싶습니다. [Etching] [1] 29487
690 plasma modeling 관련 질문 [Balance equation] [1] 489

Boards


XE Login