안녕하세요 대학원생 석사 과정을 밟고 있는 위창현입니다.

질문드리고 싶은 내용은 다름이 아니라 corona phase와 같은 특수한 경우 ionization ratio인 ion number density와 neutral particle number density의 비가 electron impact ionization rate coefficient와 radiative recombination rate coefficient의 비로 표현할 수 있게 되고, 전자의 밀도와 연관이 없는 것으로 식이 나타내지게 되는데, 플라즈마에서는 플라즈마의 전하가 quasi neutral을 띠기 때문에 전자의 수와 이온의 수가 같은 것을 알 수 있습니다.

질문은 quasi neutral상태의 ionization ratio에서 ion number density대신 electron number density를 쓰면 안되는 이유는 뭔가요?

 

number density의 개념이기 때문에, 전자의 온도가 이온의 온도보다 매우 높은 비평형 플라즈마에서는 electron number density가 ion number density보다 높기 때문에 ionization ratio에서 ion number density를 사용하는 것인가요?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76727
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20183
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57167
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68699
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92278
729 Plasma 표면개질에 대해 질문드립니다. [1] 516
728 PECVD 고온 공정에서 증착 막으로의 열전달 관련 문의드립니다. [1] 330
727 Sheath와 Plasma Bulk에 걸리는 전압 관련 문의 [1] 452
726 chamber에 인가 되는 forward power 관련 문의 [1] 357
725 반도체 METAL ETCH 시 CH4 GAS의 역할. [1] 681
724 Plasma Reflect를 관리하는 방법이 있을까요? [1] 580
723 애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다. [1] 386
722 화장품 원료의 플라즈마 처리 문의 [1] file 185
721 LXcat Dataset에 따른 Plasma discharge 에 대한 질문입니다. [1] 146
720 플라즈마 공정 후, 친수성으로 변한 표면의 친수성 제거 [1] 393
719 Compressive한 Wafer에 대한 질문 [1] 228
718 [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [1] 669
717 ICP BIPOLAR ESC 관련 이론과 Chuck Force 계산 질문드립니다ICP BIPOLAR ESC 관련 이론과 Chuck Force 계산 질문드립니다 [1] file 785
716 Ashing 공정에 필요한 O2 plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [1] 1378
715 메틸기의 플라즈마 에칭 반응 메커니즘 [1] 273
714 안녕하세요 CLEAN GAS 관련 질문이 있습니다. [1] 436
713 RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메카니즘에 대해 질문하고싶습니다. [1] 354
» corona model에 대한 질문입니다. [1] 169
711 플라즈마 제균 탈취 가능 여부 [1] 206
710 plasma 공정 중 색변화 [1] 605

Boards


XE Login