Plasma Source 반도체 METAL ETCH 시 CH4 GAS의 역할.
2023.06.26 10:34
안녕하세요. 현재 ETCH 공정엔지니어를 직업으로 하고 있습니다.
다름이 아니라 ETCH 공정에 많은 Route 중 Metal Etch 공정에 관해 질문 드립니다.
METAL을 ETCH 할 경우 주 GAS로는 BCL3 + CL2 를 이용하고 추가적으로 N2, CHF3, CH4의 부수적인 GAS를 사용 합니다.
이러한 GAS 중 CH4 GAS의 용도 및 역할에 대해서 상세히 알고 싶습니다..
도움 부탁드립니다. 감사합니다.
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [281] | 77183 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20454 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57352 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68894 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92930 |
| 744 | RIE Gas 질문 하나 드려도될까요? [1] | 343 |
| 743 | 플라즈마 밀도와 라디칼 [1] | 343 |
| 742 | 플라즈마 에너지가 온도를 높혀주는 역할 [1] | 347 |
| 741 | PECVD 고온 공정에서 증착 막으로의 열전달 관련 문의드립니다. [1] | 359 |
| 740 | 반사파와 유,무효전력 관련 질문 [2] | 375 |
| 739 | plasma off시 일어나는 현상 문의드립니다 [1] | 376 |
| 738 |
입자에너지에따른 궤도전자와 핵의 에너지loss rate
 | 378 |
| 737 | Edge ring의 역할 및 원리 질문 [1] | 378 |
| 736 | 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [1] | 379 |
| 735 | chamber에 인가 되는 forward power 관련 문의 [1] | 380 |
| 734 | RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메카니즘에 대해 질문하고싶습니다. [1] | 381 |
| 733 | ICP 방식에서 RF Foward Power를 상향하면 ER이 빨라지는 이유 [1] | 388 |
| 732 | plasma modeling 관련 질문 [1] | 395 |
| 731 |
염소발생 전기분해 시 스파크 발생에 관해 질문드립니다.
[1] | 396 |
| 730 | 타겟 임피던스 값과 균일도 문제 [1] | 405 |
| 729 | 애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다. [1] | 417 |
| 728 |
CURRENT PATH로 인한 아킹
[1] | 421 |
| 727 | PEALD 장비에 관해서 문의드리고 싶습니다. [1] | 422 |
| 726 | PDP 방전갭에 따른 휘도에 관해 질문드려요 [1] | 429 |
| 725 | center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 2 | 429 |
관련 식각 및 표면 반응에 대해서는 성균관대학교 염근영교수님과 전북대학교 임연호 교수님이 전문이십니다. 보다 좋은 정보를 얻으실 수 있을 것으로 기대합니다. 아울러 염근영교수님의 역저 "플라즈마 식가기술 - 미래컴"를 참고 도서로 추천합니다. 감사합니다.