안녕하세요 PECVD 설비를 맡고 있는 엔지니어입니다.

현업에 종사하고 있음에도 알기 어려운 것들을, 교수님을 통해 알아가며 업무에 정말 많은 도움이 됩니다, 감사드립니다.

 

이번에 드리고자 하는 질문은 Sheath에 걸리는 전압 및 전력에 대한 것 입니다. 

임피던스 매칭을 공부하며 파워는 저항에서만 소모되고 C나 L 같은 리엑턴스에서는 위상지연만 일어난다는 것을 알았습니다.

하지만 이해가 안가는 부분이 있습니다.

 

챔버를 임피던스로 표현할 땐, 플라즈마 Bulk는 R(저항)으로 표현되고, Sheath는 C(커패시터)로 표현할 수 있는데, 이 때 Power는 저항인 Plasma Bulk에서만 소비된다고 이해 했습니다.

그런데, Self Bias관련 자료에서는, Sheath에서 대부분의 전압강하가 일어나고, Bulk의 Potential은 일정하다고 되어있어 이해에 어려움이 있습니다.

즉, 등가회로로 표현할 땐 볼티지 드랍이 플라즈마 벌크에서 일어나는 자료와, Self Bias를 설명하는 자료에서는 Sheah에서 대부분 Voltage drop 이 일어난다고 하니 상충되는것으로 받아들여집니다.

 

이를 이해 하기위해 어떤 이론이 부족한지, 또는 잘못 알고 있는지를 모르겠어서, 다시 한번 질문 남기게 되었습니다.

귀한 시간 내주셔서 진심으로 감사드립니다..!

 

 

 

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [283] 77248
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20471
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57378
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68906
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92958
746 RF Frequency 가변과 FORWARD POWER의 상관관계 [2] 841
745 안녕하세요, RPS나 DEPOSITION간에 발생하는 ELECTRON TEMPERATURE가 궁금합니다. [1] 509
744 RIE Gas 질문 하나 드려도될까요? [1] 345
743 RIE 설비 관련 질문 좀 드려도 될까요? [1] 315
742 안녕하세요. 자문을 구할 수 있을지 궁금합니다. [1] file 539
741 CURRENT PATH로 인한 아킹 [1] file 422
740 플라즈마 전원 공급장치에 대한 질문 [1] 549
739 주파수 증가시 플라즈마 밀도 증가 [1] 780
738 remote plasma 를 이용한 SiO2 etching 질문드립니다. [1] 681
737 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] 465
736 RF sputter 증착 문제 질문드립니다. [1] file 341
735 plasma off시 일어나는 현상 문의드립니다 [1] 381
734 Arcing 과 Self-DC Bias Voltage 상관 관계 [1] 634
733 RF 스퍼터 관련 질문이 있습니다. [1] 289
732 반사파와 유,무효전력 관련 질문 [2] 380
731 GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] 264
730 N2 GAS를 이용한 Plasma에 대한 질문 [1] 676
729 Plasma 표면개질에 대해 질문드립니다. [1] 609
728 PECVD 고온 공정에서 증착 막으로의 열전달 관련 문의드립니다. [1] 370
» Sheath와 Plasma Bulk에 걸리는 전압 관련 문의 [1] 543

Boards


XE Login