안녕하세요 PECVD 설비를 맡고 있는 엔지니어입니다.

현업에 종사하고 있음에도 알기 어려운 것들을, 교수님을 통해 알아가며 업무에 정말 많은 도움이 됩니다, 감사드립니다.

 

이번에 드리고자 하는 질문은 Sheath에 걸리는 전압 및 전력에 대한 것 입니다. 

임피던스 매칭을 공부하며 파워는 저항에서만 소모되고 C나 L 같은 리엑턴스에서는 위상지연만 일어난다는 것을 알았습니다.

하지만 이해가 안가는 부분이 있습니다.

 

챔버를 임피던스로 표현할 땐, 플라즈마 Bulk는 R(저항)으로 표현되고, Sheath는 C(커패시터)로 표현할 수 있는데, 이 때 Power는 저항인 Plasma Bulk에서만 소비된다고 이해 했습니다.

그런데, Self Bias관련 자료에서는, Sheath에서 대부분의 전압강하가 일어나고, Bulk의 Potential은 일정하다고 되어있어 이해에 어려움이 있습니다.

즉, 등가회로로 표현할 땐 볼티지 드랍이 플라즈마 벌크에서 일어나는 자료와, Self Bias를 설명하는 자료에서는 Sheah에서 대부분 Voltage drop 이 일어난다고 하니 상충되는것으로 받아들여집니다.

 

이를 이해 하기위해 어떤 이론이 부족한지, 또는 잘못 알고 있는지를 모르겠어서, 다시 한번 질문 남기게 되었습니다.

귀한 시간 내주셔서 진심으로 감사드립니다..!

 

 

 

 

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