안녕하세요

 

항상 많은 도움 감사합니다.

 

PECVD 고온 공정에서 증착 막으로의 열전달 관련 문의드립니다.

 

CCP TYPE CVD 공정의 경시성 현상에 관한 질문입니다.

 

일반적으로 경시성은 Shower Head 의 불균일한 Oxidation에 의해서 발생을 하게 되는데

Oxidation이 심하게 되는 부위에서 Oxide 막이 두껍게 형성되어,

Shower Head에서의 열이 방사율이 높아짐에 따라 산화가 많이 된 쪽이 Heat Loss가 더 커질 것으로 판단되는데요

 

일반적으로 Oxidation의 경우 Center 대비 Edge 쪽에서 많이 이뤄져서 Edge 쪽 방사율에 의해 Edge 막의 Temp가 더 낮을 것으로 예상했으나

실제 현상으로는 Center 쪽 막의 Temp가 더 낮은 현상이 일어납니다.

 

이론적인 부분과 실제 현상이 매칭이 잘 안되어서 혹시 원인이 무엇일지 궁금해서 의견 어떠신지 질문드립니다.

(Edge 영역으로 열전달이 많이 될 수 있는 매커니즘이 있는지 궁금합니다)

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [329] 98689
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 23940
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 60600
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 72499
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 103369
732 반사파와 유,무효전력 관련 질문 [플라즈마 생성과 가열] [2] 600
731 GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] 939
730 N2 GAS를 이용한 Plasma에 대한 질문 [질소 플라즈마] [1] 944
729 Plasma 표면 개질에 대해 질문드립니다. [O2 플라즈마와 Ar 플라즈마] [1] 4109
» PECVD 고온 공정에서 증착 막으로의 열전달 관련 문의 드립니다. [플라즈마 분포와 확산] [1] 723
727 Sheath와 Plasma Bulk에 걸리는 전압 관련 문의 [Sheath impedance] [1] 871
726 chamber에 인가되는 forward power 관련 문의 [송전선로 모델 및 전원의 특성] [1] 511
725 반도체 METAL ETCH시 CH4 GAS의 역할 [플라즈마 식각기술] [1] 1147
724 Plasma Reflect를 관리하는 방법이 있을까요? [임피던스 매칭] [1] 1125
723 애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다. [Materials processing] [1] 600
722 화장품 원료의 플라즈마 처리 문의 [환경 플라즈마] [1] file 370
721 Lxcat dataset에 따른 Plasma discharge에 대한 질문입니다. [CX 데이터] [1] 314
720 플라즈마 공정 후, 친수성으로 변한 표면의 친수성 제거 [공정 조절과 CF4 계열 플라즈마] [1] 619
719 Compressive한 Wafer에 대한 질문 [박막] [1] 423
718 [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [플라즈마 식각기술] [1] 956
717 ICP VIPOLAR ESC 관련 이론과 Chuck Force 계산 질문드립니다 [Plasma breakdown 및 생성] [1] file 1423
716 Ashing 공정에 필요한 O2plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [전자 충돌 이온화 반응 해리 반응 흡착 반응] [1] 2724
715 메틸기의 플라즈마 에칭반응 메커니즘 [공정 플라즈마] [1] 639
714 안녕하세요 CLEAN GAS 관련 질문이 있습니다. [플라즈마 이온화 및 해리 반응, 반응기 벽면 세정] [1] 857
713 RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메커니즘에 대해 질문하고 싶습니다. [플라즈마-화학-표면 반응 모델] [1] 584

Boards


XE Login