Etch center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 2
2023.09.14 07:59
상세한 답변 정말 감사합니다!! 추가 질문이 있습니다.
1. 현업에서 스크레치와 같은 defect들은 대부분 edge에서 일어난다고 알고있습니다. 그렇다면 etch 공정 기술 엔지니어로서, edge의 수율을 높이는 방법에는 무엇이 있을까요?
저는 이 방법을 center to edge 균일도 제어로 생각해서 위와 같은 질문을 드렸는데, 여기서는 추가 부품을 사용하는 방법을 써야하므로 공정 레시피 측면에서 제어할 요소가 적다고 말씀하셔서 추가 질문 드립니다!
2. 양산 수율 달성 측면에서, 높은 aspect ratio로 인한 문제가 핵심인 것이 맞나요?
댓글 0
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [280] | 77156 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20437 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57340 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68884 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92908 |
798 | SCCM 단위에 대하여 궁금합니다. | 145211 |
797 | DC 글로우 방전 원의 원리 좀 갈켜주세여.. | 134459 |
796 | RF 플라즈마와 Microwave 플라즈마의 차이 | 95823 |
795 | Plasma source type | 79718 |
794 | Silent Discharge | 64561 |
793 | VPP, VDC 어떤 FACTOR 인지 알고 싶습니다. [1] | 54990 |
792 | 안녕하세요. RF Matching에 관한 질문입니다. [1] | 47958 |
791 | 플라즈마내에서의 아킹 | 43713 |
790 | 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. | 41287 |
789 | 대기압 플라즈마 | 40719 |
788 | Ground에 대하여 | 39505 |
787 | RF frequency와 RF power 구분 | 39107 |
786 | Self Bias | 36399 |
785 | Ar plasma와 O2 plasma 차이??(Matching Network) | 35980 |
784 | ECR plasma 장비관련 질문입니다. [2] | 34967 |
783 | PEALD관련 질문 [1] | 32655 |