이 순서로 생각해 보시면 판단에 도움이 될 수 있을 것 같습니다. 

1. 플라즈마 생성은 DC glow 방전에서 가속 전자의 이온화 과정에서 전자 가속에 필요한 전기장의 역할을 분석해 보면 좋을 것입니다. 본 게시판에 잘 소개되어 있습니다. 여기서 전기장이 DC 에서 RF 로 바뀌면서 RF 주파수대와 microwave 주파수대의 전기장의 전원의 선택지지가 생깁니다.

2. RF 주파수대의 대표적인 주파수는 13.56M라 할 수 있으나, 일반적으로 kHz ~ MHz 영역대를 쓰고, GHz 영역대의 전자파의 주파수를 가지는 경우 마이크로웨이브 영역대로 구분할 수 있습니다. 중요한 고주파의 주파수특성을 구분하는 기준은 전자 플라즈마 주파수이며 이는 약 9000 sqrt(전자밀도[cm-3]) 를 가집니다. 대부분의 전자 플라즈마 주파수를 기준으로 인가 주파수의 역할을 판단하게 됩니다. 주파수가 낮은 경우, 플라즈마 이온 주파수를 기준으로 이온 거동이 전기장에 따른 거동을 판단하고, 이는 바이어스 전원의 주파수 선택에 기준을 제공합니다. (관련 내용 게시판에서 찾을 수 있습니다)

3. 전자 가열과 가열전자와 충돌 빈도수에 따라서 화학종의 생성률에 따릅니다., 충돌에는 공정 가스의 종류가 가지는 충돌 단면적의 특성과 가열 전자의 에너지의 함수로 결정되고, 이를 rate constant라 K 하며, K는 전자 에너지 분포함수-EEDF 및 전자 평균 온도) 와 충돌 빈도수는 전자 밀도의 함수로, 라디컬의 생성률은 플라즈마 가열 주파수, 전력, 압력과 공정 가스의 함수입니다. 

또한 현 모델은 단위 공간에서의 현상을 설명하는 밀도의 개념이고, 전체 공정 장치 내에서의 현상은 가열영역과 반응기 구조와 안테나(전기장생성 전극 또는 전자기파 공급 구조 + 가스 분포)에 대단히 민감할 수 밖에 없습니다. 

4. 따라서, 공정 주파수 및 전원은 공정 타킷에서 필요한 화학종의 결정에 따라서 최적 장치의 설계 또는 최적 운전 리피시를 만들어 장치를 운전하게 될 것 같습니다.

이 관점으로 주파수 / 전원 선택을 판단해 보시면 좋을 것 같습니다. 특히 대상 공정 조건이 생성 플라즈마의 특성과 결합됩니다. 본 논의에서 언급된 키워드들은 계시판에서 학인해 보시기를 추천드립니다. 장비 선정과 동남아 시장 개척에 도움이 되었으면 합니다.