안녕하세요, 반도체 장비사에서 근무중입니다.

 

한가지 의문이 생겨 질문을 드립니다.

 

RPSC를 이용하여 SiO의 선택적 식각에 대한 질문입니다.

 

http://pal.snu.ac.kr/index.php?mid=board_qna_new&document_srl=62374

 

상기 내용을 보면, NH3,NF3의 gas가 해리 결합되어 F,NH4F 등의 Gas를 만들고 이 Gas들이 기판에 증착이 되는데

SiO의 바인딩 에너지가 111kcal mol, sif의 바인딩 에너지가 136kcal mol이기에 SiO와의 결합을 끊고, NH4)2SiF6의 필름을 형성, 100도씨에서 승화된다고 공부하였습니다.

 

여기서 제가 궁금한것은, Si도 F에 의해 Etching이 되기도 하고, Si Wafer의 결합에너지도 SiF보다 낮을텐데,  어떻게 SiO만 선택적으로 깎아내는것인지 궁금합니다. 

Si도 물론 깎여나가긴 하겠지만, SiO가 상대적으로 필름 형성이 더 잘되서 많이 깎여나가는 것인가요?

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [299] 77635
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20669
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57608
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69107
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 93311
816 ICP에서 biasing 질문 [RF sheath와 self bias] [1] update 21
815 가스 조성 및 온도에 따른 식각률 관련 질문입니다. [1] 13
814 RF sputtering reflect power에 대해서 질문 남깁니다. 19
813 ExB drift 식 유도 과정에서의 질문 [1] 22
812 Debey Length에 대해 문의 드립니다. [1] 57
811 플라즈마 식각 공정 중 폴리머의 거동 [1] 1247
810 플라즈마 사이즈 측정 방법 [1] 109
809 Forward와 Reflect가 계속해서 걸립니다. [2] file 145
808 micro arc에 대해 질문드립니다. [1] 69
807 Wafer Capacitance 성분과 Vdc 관계 문의드립니다. [1] 114
806 Surface wave plasma 조건에 관해 질문드립니다. [1] 53
805 CCP Chamber 사용 중 Impedance 변화 원인 문의드립니다. [1] 118
804 CVD 박막 Clean 중 Ar에 의한 Etch 여부가 궁금합니다. [1] 129
803 Ion 입사각을 확인하는 방법 문의드립니다 [1] 73
802 ICP Plasma etch chamber 구조가 궁금합니다. [1] 155
801 HE LEAK 과 접촉저항사이 관계 [1] 163
800 PECVD 실험을 하려고 하는데 조언 구합니다. 117
799 스터퍼링시 기판 온도 계산에 대해 질문드립니다! [1] 81
798 공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [1] 134
» Si 와 SiO의 선택적 식각 관련 문의입니다. 173

Boards


XE Login