Chamber component 스터퍼링시 기판 온도 계산에 대해 질문드립니다!
2024.05.22 09:03
현재 반도체 장비 업체에 근무하고 있는 엔지니어입니다.
신입사원 발표 과제로 스퍼터링시 기판 온도 계산하는 과정을 직접 변수를 설정하고 구해보라고 주제를 받았습니다.
대충 타겟 온도를 200도, 냉각 장치를 20도라고 가정하고 타겟은 알루미늄 기판은 유리로 가정해봤는데
여러 열역학 이론을 공부해봤지만 아무래도 기판 온도를 계산하는 법 방향성을 못잡겠습니다..
조언주시면 감사합니다!!
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [282] | 77208 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20465 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57361 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68900 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92946 |
| 806 | Surface wave plasma 조건에 관해 질문드립니다. | 8 |
| 805 | CCP Chamber 사용 중 Impedance 변화 원인 문의드립니다. [1] | 21 |
| 804 | CVD 박막 Clean 중 Ar에 의한 Etch 여부가 궁금합니다. [1] | 39 |
| 803 | Ion 입사각을 확인하는 방법 문의드립니다 [1] | 22 |
| 802 | ICP Plasma etch chamber 구조가 궁금합니다. [1] | 72 |
| 801 | HE LEAK 과 접촉저항사이 관계 [1] | 90 |
| 800 | PECVD 실험을 하려고 하는데 조언 구합니다. | 67 |
| » | 스터퍼링시 기판 온도 계산에 대해 질문드립니다! [1] | 58 |
| 798 | 공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [1] | 82 |
| 797 | Si 와 SiO의 선택적 식각 관련 문의입니다. | 118 |
| 796 | Druyvesteyn Distribution | 47 |
| 795 | 플라즈마 식각 커스핑 식각량 | 60 |
| 794 | Showerhead와 Heater간 간격에 따른 RPC 효율성 [1] | 122 |
| 793 | C2H2 플라즈마코팅시 가스 원인과 대책 | 36 |
| 792 | DBD 방전 방식의 저온 플라즈마 관련해서 3가지 질문 드립니다. [1] | 54 |
| 791 | 새삼스럽지만 챔버 내에 전류의 정의를 여쭤보고싶습니다. [1] | 133 |
| 790 | 진공 챔버에서 Plasma Off시 Particle의 wafer 표면 충돌 속도 [1] | 130 |
| 789 | 플라즈마 설비에 대한 질문 | 110 |
| 788 | RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [1] | 118 |
| 787 | Non-maxwellian 전자 분포의 원인 [1] | 257 |
좋은 문제입니다. 이 문제는 열전달 문제이니 열전달 방정식을 찾고 상수들은 재료의 특성 값이니 역시 찾아서 넣으면 경계조건의 문제로 풀수가 있겠군요. 풀어 보면 장비사에서 사용하는 재료의 열특성 자료를 구할 수 있으며 이는 회사 내부 자료로 확보가 되어 있을 것이니
자료 관리도 잘 하셔야 할 것 같습니다. 수식 등은 googling 이니 WIkipedia 에서 쉽게 찾을 수 있습니다. 마음 놓고 도전해 보세요. 아마도 Chat 에서 방향을 찾을 수도 있겠습니다. (거듭 강조하지만, 사용하는 자료들은 회사가 가진 자산일 겁니다. 따라서 잘 확인하시고 보관하셔야 합니다. )