안녕하세요, RF sputter 장비를 담당하고 있는 학생입니다.

 

RF reactive sputtering으로 Ar+N2 분위기에서 박막 증착을 하는 공정을 맡고 있는데요,

 

메인 챔버를 오픈한 뒤로 청소를 해주었는데도 reflect power가 튀는 현상이 발생해서 더이상 파워를 올리지 못하는 상황입니다.

 

RF power controller 매칭값을 확인해도 정상 범위에 있고

 

압력을 20mTorr까지 올린 상태로 파워를 점점 높여가며 진행해도 현상이 나아지지 않는데,

 

이런 현상이 발생하는 이유와 해결 방법을 여쭙고 싶습니다.

 

혹시 실험하시면서의 경험이나 이론적인 부분에 대해 알고계신 것을 조언해주시면 감사하겠습니다.

 

감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [327] 98005
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 23833
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 60506
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 72368
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 102970
» RF sputtering reflect power에 대해서 질문 남깁니다. 304
811 ExB drift 식 유도 과정에서의 질문 [삼각함수의 위상각] [1] 273
810 Debey Length에 대해 문의 드립니다. [플라즈마 정의와 Deybe length] [1] 384
809 플라즈마 식각 공정 중 폴리머의 거동 [재료 표면 반응] [1] 4711
808 플라즈마 사이즈 측정 방법 [플라즈마 분포 측정 및 산포 평가] [1] 354
807 Forward와 Reflect가 계속해서 걸립니다. [RF generator] [2] file 581
806 micro arc에 대해 질문드립니다. [DC glow 방전과 breakdown 전기장] [1] 510
805 Wafer Capacitance 성분과 Vdc 관계 문의드립니다. [Sheath 크기 및 전위 분포] [1] 369
804 Surface wave plasma 조건에 관해 질문드립니다. [표면파의 전파] [1] 236
803 CCP Chamber 사용 중 Impedance 변화 원인 문의드립니다. [Chamber impedance 변화] [1] 672
802 CVD 박막 Clean 중 Ar에 의한 Etch 여부가 궁금합니다. [Ar plasma chemical etching] [1] 493
801 Ion 입사각을 확인하는 방법 문의드립니다 [식각 플라즈마의 가장자리 균일도 제어] [1] 283
800 ICP Plasma etch chamber 구조가 궁금합니다. [플라즈마 생성 공간과 플라즈마 확산] [1] 562
799 HE LEAK 과 접촉저항사이 관계 [국부 방전과 chucking] [1] 562
798 PECVD 실험을 하려고 하는데 조언 구합니다. 260
797 스터퍼링시 기판 온도 계산에 대해 질문드립니다! [열전달 방정식 이해] [1] 208
796 공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [Sheath uniformity 이해] [1] 569
795 Si 와 SiO의 선택적 식각 관련 문의입니다. 372
794 Druyvesteyn Distribution 306
793 플라즈마 식각 커스핑 식각량 207

Boards


XE Login